[发明专利]具有视频带宽电路的RF功率晶体管以及其制造方法

权利要求书

1.一种射频(RF)放大器，其特征在于，包括：

晶体管；

在所述晶体管和RF输入/输出(I/O)之间耦合的阻抗匹配电路；以及

在所述阻抗匹配电路的连接节点和接地参考节点之间耦合的视频带宽电路，其中所述视频带宽电路包括

在所述连接节点和所述接地参考节点之间串联耦合的包络电感器和包络电容器，

横跨所述包络电感器并联耦合的第一旁路电容器，其中，所述包络电感器和所述第一旁路电容器在接近所述放大器的中心操作频率处形成并联谐振电路，

与所述包络电感器和所述包络电容器串联耦合的包络电阻器，以及

横跨所述包络电阻器并联耦合的第二旁路电容器。

2.一种射频(RF)放大器，其特征在于，包括：

晶体管，所述晶体管具有控制端和第一和第二载流端；

耦合到所述第一载流端的输出阻抗匹配电路，其中，

所述输出阻抗匹配电路包括在所述第一载流端和接地参考节点之间耦合的分路电路，其中所述分路电路包括串联耦合的分路电感和分路电容器，并且其中RF冷点节点存在于所述分路电感和所述分路电容器之间，以及

在所述RF冷点节点和所述接地参考节点之间耦合的视频带宽电路，其中，所述视频带宽电路包括在所述RF冷点节点和所述接地参考之间串联耦合的包络电感器、包络电阻器以及包络电阻器，并且其中所述视频带宽电路另外包括具有与所述包络电阻器的第一端耦合的第一电容器端以及与所述包络电阻器的第二端耦合的第二电容器端的第一旁路电容器以使得所述第一旁路电容器横跨所述包络电阻器并联耦合。

3.一种射频(RF)放大器，其特征在于，包括：

晶体管，所述晶体管具有控制端和第一和第二载流端，

耦合到所述第一载流端的输出阻抗匹配电路，其中，所述输出阻抗匹配电路包括在所述第一载流端和接地参考节点之间耦合的分路电路，其中所述分路电路包括串联耦合的分路电感和分路电容器，并且其中RF冷点节点存在于所述分路电感和所述分路电容器之间，以及

在所述RF冷点节点和所述接地参考节点之间耦合的视频带宽电路，其中，所述视频带宽电路包括在所述RF冷点节点和所述接地参考之间串联耦合的包络电感器、包络电阻器以及包络电容器，并且其中所述视频带宽电路另外包括具有与所述包络电感器的第一端耦合的第一电容器端以及与所述包络电感器的第二端耦合的第二电容器端的第一旁路电容器。

4.一种封装射频(RF)放大器装置，其特征在于，包括：

装置基板；

耦合到所述装置基板的多个RF输入/输出(I/O)引线；

耦合到所述装置基板的晶体管；

在所述晶体管和所述RF I/O引线中的一个引线之间电耦合的阻抗匹配电路；以及

在所述阻抗匹配电路的连接节点和接地参考节点之间电耦合的视频带宽电路，其中所述视频带宽电路包括

在所述连接节点和所述接地参考节点之间串联耦合的包络电感器和包络电容器，

横跨所述包络电感器并联耦合的第一旁路电容器，其中，所述包络电感器和所述第一旁路电容器在接近所述放大器的中心操作频率处形成并联谐振电路，

与所述包络电感器和所述包络电容器串联耦合的包络电阻器，以及

横跨所述包络电阻器并联耦合的第二旁路电容器。

5.一种制造RF放大器装置的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

耦合晶体管到装置基板，其中，所述晶体管具有控制端和第一和第二载流端；

耦合RF输出引线到所述装置基板；

在所述第一载流端和所述RF输出引线之间电耦合阻抗匹配电路，其中，所述输出阻抗匹配电路包括在所述第一载流端和接地参考节点之间耦合的分路电路，其中所述分路电路包括串联耦合的分路电感和分路电容器，并且其中RF冷点节点存在于所述分路电感和所述分路电容器之间；以及

在所述阻抗匹配电路的RF冷点节点和所述接地参考节点之间电耦合视频带宽电路，其中所述视频带宽电路包括在所述RF冷点节点和所述接地参考节点之间串联耦合的包络电感器、包络电阻器和包络电容器，并且其中所述视频带宽电路另外包括具有与所述包络电感器的第一端耦合的第一电容器端以及与所述包络电感器的第二端耦合的第二电容器端的旁路电容器以使得所述旁路电容器横跨所述包络电感器并联耦合。