[发明专利]半导体器件结构及其形成方法

说明书

本发明实施例提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括衬底和在衬底上方形成的堆叠的引线结构。半导体器件结构还包括在堆叠的引线结构的中间部分上方形成的栅极结构和在堆叠的引线结构的两个相对侧处形成的源极/漏极(S/D)结构。S/D结构包括顶面、侧壁表面以及在顶面和侧壁表面之间的圆形拐角。本发明实施例涉及半导体器件结构及其形成方法。

技术领域

本发明实施例涉及半导体器件结构及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过以下步骤来制造半导体器件：在半导体衬底上方相继沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层；以及使用光刻来图案化该多个材料层，以在该多个材料层上形成电路组件和元件。通常在单个半导体晶圆上制造许多集成电路，并且通过沿着划线在集成电路之间锯切来分割晶圆上的单独的管芯。例如，通常以多芯片模式或者以其他的封装类型来单独地封装单个管芯。

随着半导体工业在追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本过程中已经进入纳米技术工艺节点，来自制造和设计问题的挑战已经引起三维设计的发展。

虽然现有的半导体器件对于它们的预期目的通常已经足够，但是它们不是在所有方面都已完全令人满意。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供了一种半导体器件结构，包括：衬底；堆叠的引线结构，形成在所述衬底上方；在所述堆叠的引线结构的中间部分上方形成栅极结构；以及源极/漏极结构，形成在所述堆叠的引线结构的两个相对侧处，其中，所述源极/漏极结构包括顶面、侧壁表面以及位于所述顶面和所述侧壁表面之间的圆形拐角。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种半导体器件结构，包括：衬底，具有(110)表面取向或(111)表面取向；鳍结构，在所述衬底之上延伸；第一半导体引线，形成在所述鳍结构上方；第二半导体引线，形成在所述第一半导体引线上方，其中，所述第一半导体引线和所述第二半导体引线由不同的材料制成；栅极结构，形成在所述第一半导体引线和所述第二半导体引线的中间部分上方；以及源极/漏极结构，形成在所述第一半导体引线和所述第二半导体引线的两个相对侧处，其中，所述源极/漏极结构包括位于所述第一半导体引线的侧壁上方的第一部分和位于所述第二半导体引线的侧壁上方的第二部分，且所述第一部分厚于或薄于所述第二部分。

根据本发明的又一实施例，还提供了一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：在衬底上方形成堆叠的引线结构，其中，所述堆叠的引线结构包括第一半导体引线和位于所述第一半导体引线上方的第二半导体引线；横跨所述堆叠的引线结构的中间部分形成伪栅极结构；以及在所述堆叠的引线结构的两个相对侧处形成源极/漏极结构，其中，所述源极/漏极结构通过外延工艺形成且所述源极/漏极结构包括顶面、侧壁表面以及位于所述顶面和所述侧壁表面之间的圆形拐角。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。

图1A至图1L示出了根据本发明的一些实施例的形成半导体器件结构的各个阶段的立体图示。

图2A示出了沿图1H中示出的线II’的半导体器件结构的截面图示。

图2B示出了沿图1I中示出的线II’的半导体器件结构的截面图示。

图3A示出了图2A的改进的实施例的截面图示。

图3B示出了图2B的改进的实施例的截面图示。

图4A至图4C是根据本发明的一些实施例的形成图1E所示的S/D结构的各个阶段的截面图示。