[发明专利]ESD保护方法和ESD保护电路有效
申请号: | 201610908014.2 | 申请日: | 2013-03-26 |
公开(公告)号: | CN107424988B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | M.什里瓦斯塔瓦;C.拉斯;H.戈斯纳 | 申请(专利权)人: | 英特尔移动通信有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02H9/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 秦琳;姜甜 |
地址: | 德国诺*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | esd 保护 方法 电路 | ||
1.一种ESD保护电路,包括:
第一触发元件,被配置为在检测到ESD脉冲时,提供第一触发信号;
第二触发元件,被配置为在检测到所述ESD脉冲时,提供第二触发信号;
主分路元件,被配置为基于所述第一触发信号来分路所述ESD脉冲的功率;和
电流控制元件,被配置为基于所述第二触发信号来选择性地当作所述主分路元件的衬底泵浦以将由所述ESD脉冲引起的电流泵浦到所述主分路元件的衬底中并且基于所述第二触发信号来选择性地当作与所述主分路元件并联的次分路元件。
2.根据权利要求1的ESD保护电路,其中所述电流控制元件包括电流开关,所述电流开关被配置为在第一位置和第二位置之间切换,其中所述电流开关被设置到第一位置以当所述第二触发信号被取消断言时选择性地将由所述ESD脉冲引起的电流泵浦到所述主分路元件的所述衬底中,并且被设置到第二位置以当所述第二触发信号被断言时选择性地分路电流,其中当不存在ESD脉冲时,将所述电流开关设置到所述第一位置。
3.根据权利要求1的ESD保护电路,其中所述第一触发信号的脉冲长度不同于所述第二触发信号的脉冲长度。
4.根据权利要求1的ESD保护电路,其中所述第一触发信号的脉冲长度与所述第二触发信号的脉冲长度相同。
5.根据权利要求1的ESD保护电路,还包括:与所述电流控制元件串联的主泵浦。
6.根据权利要求5的ESD保护电路,其中所述主泵浦包括漏极扩展MOS(DeMOS)晶体管,所述漏极扩展MOS(DeMOS)晶体管具有与所述第一触发元件的输出耦合的栅极。
7.根据权利要求1的ESD保护电路,其中所述电流控制元件包括分流器,所述分流器被配置为基于所述第二触发信号来选择性地分路由所述ESD脉冲引起的电流。
8.根据权利要求7的ESD保护电路,其中所述分流器包括:
次泵浦元件,所述次泵浦元件具有与所述第二触发元件的输出耦合的控制端子,其中所述次泵浦元件被配置为基于第二触发信号选择性地将由ESD脉冲引起的电流泵浦到主分路元件的衬底中。
9.根据权利要求8的ESD保护电路,其中所述分流器还包括:
次分路元件,所述次分路元件具有与所述第二触发元件的输出耦合的控制端子,其中所述次分路元件被配置为基于所述第二触发信号选择性地分路由所述ESD脉冲引起的电流。
10.根据权利要求9的ESD保护电路,其中所述次泵浦元件和所述次分路元件均包括漏极扩展MOS晶体管。
11.根据权利要求7的ESD保护电路,其中所述分流器和所述主分路元件被配置为基于所述第一触发信号和第二触发信号同时分路由所述ESD脉冲引起的电流。
12.根据权利要求1的ESD保护电路,其中所述主分路元件包括漏极扩展晶体管。
13.一种由ESD保护电路执行的用于ESD保护的方法,包括:
在检测到ESD脉冲时,断言第一脉冲长度的第一触发信号;
在检测到所述ESD脉冲时,断言第二脉冲长度的第二触发信号,所述第二脉冲长度不同于所述第一脉冲长度;
由所述ESD保护电路的主分路器基于第一触发信号将所述ESD脉冲的功率分路得远离易受ESD影响的电路;和
由所述ESD保护电路的电流控制元件基于所述第二触发信号来选择性地当作所述主分路器的衬底泵浦以将由所述ESD脉冲引起的电流泵浦到所述主分路器的衬底中并且由所述电流控制元件基于所述第二触发信号来选择性地当作与所述主分路器并联的次分路器。
14.根据权利要求13的方法,其中所述主分路器包括漏极扩展MOS晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔移动通信有限责任公司,未经英特尔移动通信有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610908014.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种中学物理电学实验装置
- 下一篇:一种物理力学实验台
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的