[发明专利]一种带GaN子阱的RTD发射区新设计在审
| 申请号： | 201610909347.7 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN106653863A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 高博;刘洋 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610064 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan rtd 发射 设计 | ||
【权利要求书】：
1.本发明所设计的新型发射区结构的共振隧穿二极管（Resonant Tunneling Diode, RTD）的器件结构由发射极到集电极依次为：GaN发射区，Al组分缓变（从0缓变到x）的AlxGa1-xN发射区、AlxGa1-xN隔离区、GaN子阱、AlyGa1-yN/GaN/AlyGa1-yN双势垒单势阱有源区、GaN集电极隔离区、GaN集电区。
2.根据权利要求书1，本发明所设计的共振隧穿二极管其关键结构特征在于：使用GaN材料和Al组分从零缓变到x的AlGaN材料共同构成发射区，GaN段发射区和AlGaN发射区连接在一起，采用这样的设计可以减小发射区势垒对载流子输运的负面影响。
3.根据权利要求书2，发明中的关键结构——Al组分缓变的AlxGa1-xN发射区——实现了GaN做发射极的欧姆接触，避免了AlGaN掺杂困难，不易做电极接触的问题，同时保证了发射区能带连续性，相较于突变结构避免了发射区形成势垒对发射极电流的影响，仿真结果显示本发明所设计的RTD获得的峰值电流、输出功率和PVCR都是目前该器件研究报道中最好的结果之一。
4.根据权利要求书3的理论分析和仿真结果，其用途在于将该器件应用于室温下、太赫兹振荡器的设计中，可产生毫瓦级输出功率的太赫兹信号。
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