[发明专利]太阳能电池在审
申请号: | 201610910204.8 | 申请日: | 2016-10-19 |
公开(公告)号: | CN107634120A | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 丁兆民 | 申请(专利权)人: | 新日光能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/054 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 冯志云,王芝艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
1.一太阳能电池,包含:
一半导体基板,掺杂有一第一型半导体,且该半导体基板具有一受光面,该受光面包含一有效吸光区与一环绕该有效吸光区的无效受光区;
一本征半导体层,形成于该受光面上;
一第二型半导体层,形成于该本征半导体层上,且该第二型半导体层掺杂有一第二型半导体;
一透明导电层,形成于该第二型半导体层上,并与该有效吸光区重叠,且该透明导电层具有一电极设置面;
一金属电极,设置于该电极设置面上;
一光反射单元,设置于该无效受光区,并具有一朝向该有效吸光区倾斜的第一反射斜面;以及
一透明封装层,设置于该透明导电层、该金属电极以及该光反射单元上,且该透明封装层具有一与空气接触的空气界面;
其中,当一沿一垂直于该受光面的入射方向投射的垂直入射光束经由该第一反射斜面的反射而朝该有效吸光区的上方投射时,投射至该空气界面,再透过该空气界面的反射而朝向该透明导电层投射。
2.如权利要求1所述的太阳能电池,其中,该光反射单元具有一水平基准面,该水平基准面平行于该受光面,并与该第一反射斜面的底缘重叠,且该第一反射斜面与该水平基准面之间具有一第一倾斜角度,该第一倾斜角度为20度以上并小于45度。
3.如权利要求2所述的太阳能电池,其中,该光反射单元还包含一第二反射斜面,该第二反射斜面朝向该有效吸光区倾斜,并位于该第一反射斜面相对于该有效吸光区的另一侧,且该第二反射斜面与该水平基准面之间具有一第二倾斜角度,该第二倾斜角度为20度以上并小于89度。
4.如权利要求3所述的太阳能电池,其中,该光反射单元还包含一第三反射斜面,该第三反射斜面位于该第一反射斜面与该第二反射斜面之间,并背向该有效吸光区倾斜,且该第三反射斜面与该水平基准面之间具有一第三倾斜角度,当该第三倾斜角度与该第二倾斜角度两倍的和大于90度时,该第三倾斜角度与该第二倾斜角度的和介于45度与70度之间。
5.如权利要求4所述的太阳能电池,其中,该第三倾斜角度与该第二倾斜角度的和介于50度与65度之间。
6.如权利要求1所述的太阳能电池,其中,该半导体基板为一结晶硅半导体基板,该本征半导体层为一本征非晶硅半导体层,该第二型半导体层为一第二型非晶硅半导体层。
7.如权利要求1所述的太阳能电池,其中,该光反射单元形成于该第二型半导体层上,并位于该无效受光区中。
8.如权利要求1所述的太阳能电池,其中,该本征半导体层形成于该受光面,并位于该有效吸光区中,该光反射单元形成于该受光面,并位于该无效受光区中。
9.如权利要求1所述的太阳能电池,其中,该金属电极包含一汇流排电极本体,且该太阳能电池还包含一汇流电极光反射单元,该汇流电极光反射单元设置于该汇流排电极本体上。
10.如权利要求1所述的太阳能电池,其中,该光反射单元黏结地设置于该无效受光区。
11.如权利要求1所述的太阳能电池,其中,该第一反射斜面设有一反光镀膜。
12.如权利要求11所述的太阳能电池,其中,该反光镀膜的组成至少包含铝、银、锡或其组合。
13.一太阳能电池,包含:
一半导体基板,掺杂有一第一型半导体,且该半导体基板具有一受光面,该受光面包含一有效吸光区与一环绕该有效吸光区的无效受光区;
一本征半导体层,形成于该受光面上;
一第二型半导体层,形成于该本征半导体层上,且该第二型半导体层掺杂有一第二型半导体;
一透明导电层,形成于该第二型半导体层上,并与该有效吸光区重叠,且该透明导电层具有一电极设置面;
一金属电极,设置于该电极设置面上;
一光反射单元,设置于该无效受光区,并具有一朝向该有效吸光区倾斜的第一反射斜面;以及
一透明封装层,设置于该透明导电层、该金属电极以及该光反射单元上;
其中,当一沿一垂直于该受光面的入射方向投射的垂直入射光束投射至该第一反射斜面时,该垂直入射光束透过该第一反射斜面的反射而朝向该透明导电层投射。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的