[发明专利]一种高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器

权利要求书

1.一种高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，基底材料(1)、下层电极(2)、下缓冲层(3)、铌酸锂薄膜(4)、光学波导(5)、上缓冲层(6)、上层电极(7)，所述上层电极(7)为信号级，包括正电极和负电极，正电极和负电极分别位于左右两侧光学波导(5)上方，所述下层电极为地电极，所述铌酸锂薄膜(4)为具有单晶结构的、厚度为0.1μm至10μm的铌酸锂薄膜材料。

2.根据权利要求1所述的高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，所述铌酸锂薄膜(4)由左半侧薄膜部分和右半侧薄膜部分组成，其中左半侧薄膜部分具有+c极化方向或-c极化方向，相对应地，右半侧薄膜部分具有-c极化方向或+c极化方向。

3.根据权利要求1或2所述的高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，所述基底材料(1)采用厚度为0.1mm至2mm的z切铌酸锂体晶材料；所述下层电极(2)采用厚度为0.1um至30um的金或铝金属薄膜；所述下缓冲层(3)和上缓冲层(6)采用厚度为0.1um至5um的二氧化硅或氧化铝薄膜；所述光学波导(5)为钛扩散光学波导或退火质子交换光学波导，波导扩散宽度为1至20μm，扩散深度为1至20μm；所述上层电极(7)采用厚度为0.1um至30um的金或铝金属薄膜。

4.根据权利要求1或2所述的高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，所述基底材料(1)、下层电极(2)以及下缓冲层(3)采用0.1mm至2mm低阻硅晶体材料，所述光学波导(5)为钛扩散光学波导或退火质子交换光学波导，波导扩散宽度为1至20μm，扩散深度为1至20μm；所述上缓冲层(6)采用厚度为0.1um至5um的二氧化硅或氧化铝薄膜；所述上层电极(7)采用厚度为0.1um至30um的金或铝金属薄膜。

5.根据权利要求4所述的高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，所述低阻硅基底材料通过其低阻值特性起到了下层电极的作用，并通过导电胶将硅基底与金属管壳粘接使低阻硅基底成为地电极。

6.根据权利要求1或2所述的高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，通过键合工艺与减薄工艺相结合的工艺手段制备。