[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器结构，包括：

衬底，具有前侧和背侧；

感光区域，形成在所述衬底中；

前侧隔离结构，形成在所述衬底的前侧处；

背侧隔离结构，形成在所述衬底的背侧处并且围绕所述感光区域；以及

存储节点，形成在所述衬底的邻近所述感光区域的前侧处并且垂直地嵌入在所述衬底的前侧和所述背侧隔离结构之间的位置处，并且所述存储节点与所述背侧隔离结构垂直重叠，

其中，所述前侧隔离结构由第一材料制成并且所述背侧隔离结构由不同于所述第一材料的第二材料制成，并且所述第二材料围绕所述感光区域，

其中，所述前侧隔离结构形成为在所述感光区域周围并且具有开口，使得未通过所述前侧隔离结构隔离所述感光区域的部分和存储节点，

其中，所述感光区域的底部的宽度大于所述感光区域的上部的宽度。

2.根据权利要求1所述的图像传感器结构，还包括：

光屏蔽层，形成在所述衬底的背侧处。

3.根据权利要求1所述的图像传感器结构，还包括：

覆盖层，形成在所述衬底的前侧上方以覆盖所述感光区域。

4.根据权利要求3所述的图像传感器结构，还包括：

阻挡结构，与所述覆盖层和所述前侧隔离结构直接接触。

5.根据权利要求3所述的图像传感器结构，还包括：

栅极结构，形成在所述衬底的前侧上；

其中，所述存储节点形成为邻近所述栅极结构，

其中，所述栅极结构的一部分与所述感光区域重叠。

6.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其中，所述第一材料形成在所述第二材料之上。

7.一种图像传感器结构，包括：

衬底，具有前侧和背侧；

感光区域，形成在所述衬底中；

前侧隔离结构，由第一材料制成，所述第一材料在所述衬底的前侧处部分地围绕在所述感光区域；

背侧隔离结构，由第二材料制成，所述第二材料在所述衬底的背侧处完全围绕所述感光区域；

栅极结构，形成在所述衬底的前侧上；

覆盖层，形成在所述衬底的前侧上方以覆盖所述感光区域和所述栅极结构；

其中，所述第一材料是介电材料，并且所述第二材料是金属，以及所述第一材料与所述第二材料直接接触。

8.根据权利要求7所述的图像传感器结构，其中，所述前侧隔离结构具有开口区域，使得所述感光区域的一部分未被所述前侧隔离结构围绕。

9.根据权利要求8所述的图像传感器结构，还包括：

存储节点，形成在所述衬底的前侧处，

其中，所述存储节点形成为邻近所述前侧隔离结构的开口区域。

10.根据权利要求8所述的图像传感器结构，还包括：

存储节点，形成在所述衬底的前侧处，其中，所述存储节点未与所述前侧隔离结构的开口区域对准。

11.根据权利要求10所述的图像传感器结构，还包括：

导电结构，形成在所述衬底的前侧上方，

其中，所述存储节点和所述感光区域通过所述导电结构连接。

12.根据权利要求10所述的图像传感器结构，还包括：

中间区域，形成在所述衬底中，其中，所述感光区域形成在所述中间区域的一侧处，并且所述存储节点形成在所述中间区域的另一侧处。

13.根据权利要求10所述的图像传感器结构，还包括：

第二光电二极管区域，形成为邻近所述前侧隔离结构的开口区域，

其中，所述感光区域包括第一光电二极管区域，并且所述第一光电二极管区域和所述第二光电二极管区域形成在所述前侧隔离结构的开口区域的相对侧处。