[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面；

第一区域，在平面图中设置在所述半导体衬底的中心处；以及

第二区域，在平面图中设置在所述第一区域的外部，

其中所述第一区域包括：

多个第一沟槽，在所述第一主表面处在第一方向上延伸并且在与所述第一方向正交的第二方向上彼此隔开地布置；以及

多个第一沟槽栅极电极，经由第一绝缘膜设置在相应的所述第一沟槽中，

其中所述第二区域包括：

多个第二沟槽，在所述第二方向上彼此隔开地布置，在平面图所述第二沟槽中的每个沟槽具有被矩形外轮廓和矩形内轮廓包围的形状；

多个第二沟槽栅极电极，经由第二绝缘膜设置在相应的所述第二沟槽中；

第一导电类型的第一半导体区域，设置在所述半导体衬底中；

第二导电类型的第二半导体区域，设置在所述第一主表面和所述第一半导体区域之间的所述半导体衬底中，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同；以及

所述第二导电类型的第三半导体区域，设置在所述第一半导体区域和所述第二主表面之间的所述半导体衬底中，

其中所述第二沟槽栅极电极通过在所述第二沟槽栅极电极之上形成的引出电极而电耦合在一起，

其中所述第一沟槽中的每个沟槽导向至所述第二沟槽中的任意一个沟槽，且所述第二沟槽栅极电极电耦合到所述第一沟槽栅极电极，

其中在平面图中位于每个所述第二沟槽的外部且在每个所述第二沟槽的内轮廓的内部的区域中，所述第一半导体区域与所述第二绝缘膜相接触地形成，并且所述第二半导体区域不与所述第二绝缘膜相接触地形成，以及

其中在平面图中位于每个所述第二沟槽的外部且在每个所述第二沟槽的外轮廓的外部的区域中，所述第二半导体区域与所述第二绝缘膜相接触地形成。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中在平面图中所述第二沟槽形成在所述第二半导体区域中；以及

其中在平面图中所述第一导电类型的第四半导体区域形成在以下区域中，所述区域位于每个所述第二沟槽的外部且在每个所述第二沟槽的内轮廓的内部，所述第四半导体区域适于与所述第二绝缘膜接触并且导向至所述第一半导体区域。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述第四半导体区域和所述第一半导体区域整体形成。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述第四半导体区域中的杂质浓度比所述第一半导体区域中的杂质浓度高。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述引出电极电耦合到栅极电极，所述第二半导体区域电耦合到发射极电极，且所述第三半导体区域电耦合到集电极电极。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第二沟槽栅极电极和所述引出电极由相同导电膜整体形成。