[发明专利]非易失性存储器装置及其读取方法有效
申请号: | 201610912721.9 | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN107017026B | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 戴颖煜;朱江力 | 申请(专利权)人: | 威盛电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C29/44 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王珊珊 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性存储器 装置 及其 读取 方法 | ||
非易失性存储器装置及其读取方法。该非易失性存储器装置包括一非易失性存储器以及一控制器。控制器根据非易失性存储器所存储的一读取表格建立一标准表格以及至少一优先表格。控制器使用优先表格所存储的索引值所对应的读取电压来读取非易失性存储器所存储的码字再进行解码,可得到一较高的解码成功率。当控制器无法解码非易失性存储器的码字时,控制器使用标准表格里的索引值所对应的读取电压来读取相同码字再进行解码。
技术领域
本发明涉及一种非易失性存储器装置,特别涉及一种记录解码码字成功率较高的读取电压的非易失性存储器装置及其读取方法。
背景技术
存储器主要分为两大类,一是易失性存储器(Volatile memory),另一是非易失性存储器(Non-Volatile memory)。易失性存储器的存取速度快,但在关机后,易失性存储器所存储的数据将会全部遗失。相反地,即使关机,非易失性存储器仍可维持数据。然而,非易失性存储器所存储的数据可能会因种种原因,如放置的时间太久而发生电荷流失(chargeloss)、读取干扰(read disturb)或是编程干扰(program disturb)等现象,因而若继续以固定的读取电压读取数据,则可能无法正确地读取数据。
发明内容
本发明提供一种非易失性存储器装置,包括一非易失性存储器以及一控制器。非易失性存储器存储多个数据以及一读取表格。读取表格记录多个索引值。不同的索引值对应不同的读取电压。控制器依据读取表格所存储的索引值建立一标准表格,并根据标准表格中的一第一索引值所对应的读取电压读取非易失性存储器所存储的一第一码字。控制器对第一码字进行一错误检查校正。当第一码字通过一错误检查校正时,控制器根据第一索引值建立一优先表格。
本发明还提供一种读取方法,适用于一非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包含一控制器以及一非易失性存储器。非易失性存储器用以存储多个数据以及一读取表格。本发明的读取方法包括,依据读取表格所存储的多个索引值建立一标准表格,不同的索引值对应不同的读取电压;根据标准表格中的一第一索引值所对应的读取电压读取非易失性存储器所存储的第一码字;对第一码字进行一错误检查校正;以及当第一码字通过错误检查校正时,根据第一索引值建立一优先表格。
本发明又提供一种非易失性存储器装置,包括一非易失性存储器以及一控制器。控制器根据非易失性存储器所存储的一读取表格建立一标准表格以及至少一优先表格,控制器优先使用优先表格所存储的索引值所对应的读取电压读取非易失性存储器所存储的码字再进行解码,当控制器无法解码时,控制器使用标准表格里的索引值所对应的读取电压来读取相同码字再进行解码。
为让本发明的特征和优点能更明显易懂,下文特举出优选实施例,并配合附图,作详细说明如下:
附图说明
图1为本发明的非易失性存储器装置的示意图。
图2为本发明的读取表格、标准表格与优先表格的示意图。
图3为本发明的读取方法的示意图。
【符号说明】
100:非易失性存储器装置;
110:非易失性存储器;
111:读取表格;
120:控制器;
130:微处理器;
140:存储器;
141、143、144:优先表格;
142:标准表格;
150:错误检查校正电路;
S311~S318:步骤。
具体实施方式
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