[发明专利]缺陷识别系统

说明书

技术领域

本发明实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及缺陷识别系统和缺陷识别方法。

背景技术

在现代半导体器件的制造工艺中，操作各种材料和机器以创造最终产品。生产商一直致力于减小加工过程中的微粒污染以改进产品产率。由于半导体器件的复杂性的增大(例如，更多的层和工艺)以及更大的晶片的发展，进一步强化了对缺陷检测和控制的需求。

通常在制造过程中通过使用晶片扫描仪实施对半成品的检测以便及时发现缺陷。晶片扫描仪可以侦测缺陷、分析缺陷以识别缺陷的类型并且定位晶片上的缺陷，从而帮助工作人员评估和纠正引起缺陷的制造工艺。

然而，由于产品制造中有成百上千道工艺，因此引起缺陷的可能因素是可观的并且难以探查缺陷的来源。因此，对缺陷的评估高度依赖于人们的知识和专长并且花费了大量的时间和精力，但结果通常不令人满意。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种缺陷识别系统，包括：光源，被配置为将光投射在晶片上；检测组件，被配置为检测晶片以产生缺陷映射表，并且使用缺陷映射表来定位晶片上的至少一个缺陷；光分析组件，被配置为测量从所述至少一个缺陷中的一个缺陷处反射的光的至少一个光组成；以及处理组件，有效地连接检测组件和光分析组件，其中，处理组件被编程以将从所述缺陷反射的光测量的光组成与所述缺陷的相应光组成的特性曲线进行比较以估计缺陷的发生时间。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据本发明的一些实施例所绘示的缺陷识别系统的示意图。

图2是根据本发明的一些实施例所绘示的缺陷识别的方法的流程图。

图3是根据本发明的一些实施例所绘示的亮度的特性曲线图。

图4是根据本发明的一些实施例所绘示的缺陷识别方法的流程图。

图5是根据本发明的一些实施例所绘示的色彩组成a*的特性曲线图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，以下描述中，在第二特征上方或者之上形成第一特征可以包括第一特征和第二特征直接接触形成的实施例，也可以包括在第一特征和第二特征之间可以形成额外的特征，从而使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实例。此外，本发明可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个组件或特征与另一个(或另一些)组件或特征的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语泛指装置在使用或操作中的不同方位。装置可能以其他方式定向，如旋转90度或在其他方位上，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。

在半导体产品的制造中，通过使用光源(例如，激光)扫描晶片的表面以对晶片实施检测，并测量从表面反射的光以侦测潜在的缺陷。在本发明中，上述反射的光进一步导向用于测量反射光的光组成的光谱分析仪。由于反射光的光组成会随时间递减，光组成的特性曲线可藉由收集在不同时期实施的光组成测量值而预先取得，并用以作为与目前测量值比较的参考。基于比较结果，可估计缺陷发生的大概时间，且可进一步判定造成此缺陷的制造工艺。

鉴于上述，本发明提供了缺陷识别系统。在一些实施例中，缺陷识别系统包括光源、检测组件、光分析组件和处理组件。该光源被配置为向晶片投射光。检测组件被配置为检测晶片以产生缺陷映射表并使用缺陷映射表定位晶片上的至少一个缺陷。光分析组件被配置为测量从所述至少一个缺陷中的一个缺陷处反射的光的至少一个光组成。处理组件有效地连接至检测组件和光分析组件，其中，处理组件被编程以将从所述缺陷反射的光测量的光组成与所述缺陷的相应光组成的特性曲线进行比较以估计缺陷的发生时间。

图1是根据本发明的一些实施例所绘示的缺陷识别系统的示意图。在一些实施例中，缺陷识别系统10包括光源102、检测组件104、光分析组件106、处理组件108和光学组件110、112、114、116、118和120。