[发明专利]氮化物半导体结构

权利要求书

1.一种氮化物半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

多重缓冲叠层，包括：

多个含氮半导体复合层，每个所述多个含氮半导体复合层包括：

第一氮化铝基层；

第二氮化铝基层；以及

第三氮化铝基层，所述第二氮化铝基层以及所述第三氮化铝基层依序叠层于所述第一氮化铝基层上，且所述第一氮化铝基层、所述第二氮化铝基层以及所述第三氮化铝基层的铝浓度依序递减；以及

含氮半导体叠层，配置于所述多重缓冲层上。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，其中每个所述多个含氮半导体复合层还包括外延层，所述第一氮化铝基层、所述第二氮化铝基层以及所述第三氮化铝基层依序叠层于所述外延层上。

3.根据权利要求2所述的氮化物半导体结构，其特征在于，其中所述外延层的材质包括氮化铝。

4.根据权利要求2所述的氮化物半导体结构，其特征在于，其中所述外延层、所述第一氮化铝基层、所述第二氮化铝基层以及所述第三氮化铝基层的厚度不超过1000纳米。

5.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，其中所述第一氮化铝基层、所述第二氮化铝基层以及所述第三氮化铝基层的材质包括氮化铝镓、氮化铝铟或氮化铝铟镓。

6.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，其中所述第一氮化铝基层、所述第二氮化铝基层以及所述第三氮化铝基层各自具有一致的铝浓度。

7.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，其中所述第一氮化铝基层、所述第二氮化铝基层以及所述第三氮化铝基层各自的铝浓度往远离所述衬底的方向减少。

8.根据权利要求5所述的氮化物半导体结构，其特征在于，其中所述第一氮化铝基层、所述第二氮化铝基层以及所述第三氮化铝基层的铝浓度各自是以线性、指数型或曲线型变化。

9.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，其中所述含氮半导体复合层的数量落在2层至200层的范围内。

10.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，其中所述含氮半导体复合层的数量与所述第一氮化铝基层、所述第二氮化铝基层以及所述第三氮化铝基层的厚度呈正比。

11.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，其中所述含氮半导体复合层是由有机金属化学气相沉积法形成。

12.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，其中所述衬底的材质包括硅。