[发明专利]一种薄膜晶体管存储器及其多值存储方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管存储器，其特征在于，包括：

一柔性衬底；

一栅电极组，所述栅电极组包括一底栅电极和一顶栅电极，其中所述底栅电极设置于所述柔性衬底上，且所述底栅电极与所述柔性衬底紧贴固定；

一电荷存储层组，所述电荷存储层组包括一下电荷存储层和一上电荷存储层，下电荷存储层设置于所述柔性衬底上，且所述下电荷存储层与所述柔性衬底紧贴固定，所述下电荷存储层还与所述底栅电极紧贴固定；

一半导体薄膜，所述半导体薄膜位于所述下电荷存储层和所述上电荷存储层之间所述半导体薄膜设置于所述下电荷存储层上，且所述半导体薄膜与所述下电荷存储层紧贴固定，所述上电荷存储层设置于所述半导体薄膜，且所述上电荷存储层与所述半导体薄膜紧贴固定，所述顶栅电极设置于所述上电荷存储层，且所述顶栅电极与所述上电荷存储层紧贴固定；以及

一电极组，所述电极组包括一源电极和一漏电极，所述源电极和所述漏电极均设置于所述半导体薄膜上，所述源电极和所述漏电极均与所述半导体薄膜紧贴固定，且所述上电荷存储层与所述源电极及所述漏电极紧贴固定。

2.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管存储器，其特征在于，所述柔性衬底采用PET或PI或其它柔性材料制成。

3.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管存储器，其特征在于，所述底栅电极采用ITO或金或铜制成，所述顶栅电极采用金或铜制成。

4.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管存储器，其特征在于，所述源电极和所述漏电极采用金或铜制成。

5.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管存储器，其特征在于，所述半导体薄膜为并五苯半导体薄膜或聚合物半导体薄膜。

6.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管存储器，其特征在于，所述下电荷存储层包括一下控制绝缘层，一下金属薄膜以及一下隧穿绝缘层，所述下控制绝缘层设置于所述柔性衬底上，且所述下控制绝缘层与所述柔性衬底紧贴固定，所述下控制绝缘层同时还与所述底栅电极紧贴固定，所述下金属薄膜设置于所述下控制绝缘层上，且所述下金属薄膜与所述下控制绝缘层紧贴固定，所述隧穿绝缘层被设置于所述金属薄膜和所述半导体薄膜之间，且所述隧穿绝缘层与所述金属薄膜和所述半导体薄膜紧贴固定。

7.如权利要求6所述的一种薄膜晶体管存储器，其特征在于，所述下控制绝缘层为氧化铝薄膜，所述下金属薄膜为金薄膜，所述下隧穿绝缘层为氧化铝薄膜。

8.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管存储器，其特征在于，所述上电荷存储层包括一上控制绝缘层、一上金属薄膜以及一上隧穿绝缘层，所述上隧穿绝缘层设置于所述半导体薄膜，且所述上隧穿绝缘层与所述半导体薄膜紧贴固定，所述上金属薄膜设置于所述上隧穿绝缘层上，且所述上金属薄膜与所述上隧穿绝缘层紧贴连接，所述上控制绝缘层设置于所述上金属薄膜和所述顶栅电极之间，且所述上控制绝缘层与所述上金属薄膜和所述顶栅电极紧贴固定。

9.如权利要求8所述的一种薄膜晶体管存储器，其特征在于，所述上隧穿绝缘层为聚苯乙烯薄膜，所述上金属薄膜为金薄膜，所述控制绝缘层由聚甲基丙烯酸甲酯或Cytop制成。

10.一种薄膜晶体管存储器的多值存储方法，其特征在于，包括步骤：

(A)薄膜晶体管存储器接收栅、漏电压；

(B)薄膜晶体管存储器中的电子或空穴分别注入上、下电荷存储层。