[发明专利]半导体装置及其制造方法、引线框架及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

引线框架，具有柱状的端子；

半导体芯片，被装设在所述引线框架；以及

密封树脂，覆盖所述引线框架及所述半导体芯片，

所述端子具有第1端面、与所述第1端面为相反侧的第2端面、以及在所述第1端面与所述第2端面之间沿纵方向延伸的侧面，

在所述侧面设有阶差部，形成与所述第2端面为相反侧且具有凹凸部的阶差面，

在所述端子中，从所述第1端面朝向所述第2端面延伸且包括所述阶差面的第1部分被所述密封树脂覆盖，从所述第1部分延伸至所述第2端面的第2部分从所述密封树脂突出，

所述凹凸部的各凹部的平面形状是直径0.020mm以上0.060mm以下的圆形，或是与直径0.020mm以上0.060mm以下的外接圆相接的多边形，

在平坦面形成有所述凹凸部的情况下，所述凹凸部的表面积相对于所述平坦面的表面积的比率为1.7以上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

所述端子的所述第1部分包括所述侧面的从所述阶差面朝向所述第2端面延伸的部分。

3.如权利要求1所述的半导体装置，

在所述端子的所述侧面还设有阶差部，形成另一阶差面，所述另一阶差面在横方向上位于比所述阶差面更为外侧的位置，

所述端子的所述第1部分还包括所述另一阶差面。

4.如权利要求1所述的半导体装置，

所述引线框架还具有装设半导体芯片的芯片装设面，

在所述芯片装设面还形成有所述凹凸部。

5.一种引线框架，

所述引线框架包括板材，所述板材的一个面的一部分突出以形成柱状的突起，该突起成为连接端子，

在所述板材的所述一个面的所述突起的周围形成有凹凸部，

所述突起以及所述凹凸部位于所述板材的所述一个面上的被密封树脂覆盖的区域，

所述凹凸部的各凹部的平面形状是直径0.020mm以上0.060mm以下的圆形，或是与直径0.020mm以上0.060mm以下的外接圆相接的多边形，

在平坦面形成有所述凹凸部的情况下，所述凹凸部的表面积相对于所述平坦面的表面积的比率为1.7以上。

6.如权利要求5所述的引线框架，

在所述板材的所述一个面设有阶差部，在所述突起的周围形成另一突起，

在所述板材的所述一个面的所述另一突起形成有所述凹凸部。

7.如权利要求6所述的引线框架，

在所述板材的与所述一个面为相反侧的另一个面还形成有金属膜，所述金属膜覆盖所述另一个面的、从垂直于所述另一个面的方向观察时与所述突起及所述另一突起重叠的区域。

8.如权利要求5所述的引线框架，

所述板材的所述一个面具有装设半导体芯片的芯片装设区域，

在所述芯片装设区域还形成有所述凹凸部。

9.一种引线框架的制造方法，包括：

对金属板材进行蚀刻，以在所述金属板材的一个面形成柱状的突起，并在所述金属板材的所述一个面的所述突起的周围形成凹凸部的工序，

所述凹凸部被形成在所述板材的所述一个面的被密封树脂覆盖的区域，

所述凹凸部的各凹部的平面形状是直径0.020mm以上0.060mm以下的圆形，或是与直径0.020mm以上0.060mm以下的外接圆相接的多边形，

在平坦面形成有所述凹凸部的情况下，所述凹凸部的表面积相对于所述平坦面的表面积的比率为1.7以上。

10.如权利要求9所述的引线框架的制造方法，还包括：

在所述板材的与所述一个面为相反侧的另一个面形成金属膜的工序，所述金属膜覆盖所述另一个面的、从垂直于所述另一个面的方向观察时与所述一个面的形成有所述突起及所述凹凸部的区域重叠的区域。

11.一种半导体装置的制造方法，包括：

准备引线框架的工序，所述引线框架具有在其一个面上形成的柱状的突起、在所述一个面的所述突起周围的形成的凹凸部、以及在与所述一个面为相反侧的另一个面的区域形成的金属膜，从垂直于所述另一面的方向观察时形成所述金属膜的区域与所述突起及所述凹凸部重叠；

在所述引线框架的所述一个面上装设半导体芯片的工序；

使所述半导体芯片与所述突起电连接的工序；

在所述引线框架的所述一个面上，形成覆盖所述突起及所述半导体芯片的密封树脂的工序；以及

以所述金属膜作为掩膜，从所述引线框架的所述另一个面侧开始进行蚀刻，形成柱状的连接端子的工序，

所述连接端子具有第1端面、与所述第1端面为相反侧的第2端面，

在所述连接端子中，从所述第1端面朝向所述第2端面延伸的第1部分被所述密封树脂覆盖，从所述第1部分延伸至所述第2端面的第2部分从所述密封树脂突出，

所述凹凸部的各凹部的平面形状是直径0.020mm以上0.060mm以下的圆形，或是与直径0.020mm以上0.060mm以下的外接圆相接的多边形，

在平坦面形成有所述凹凸部的情况下，所述凹凸部的表面积相对于所述平坦面的表面积的比率为1.7以上。