[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一鳍式结构，所述鳍式结构由氧化层制得；

在所述鳍式结构上形成初始石墨烯层；

在所述初始石墨烯层上形成图案化的金属层，所述图案化金属层在垂直于鳍式结构延伸方向的方向上延伸，去除所述图案化的金属层并在所述图案化的金属层下方的部分初始石墨烯层中形成凹槽，以将所述初始石墨烯层转变为双层石墨烯结构；

对所述双层石墨烯结构进行氢化处理，使得所述双层石墨烯结构产生能带隙；以及

在所述双层石墨烯结构上形成栅介电层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在提供一鳍式结构之后，在所述鳍式结构上形成初始石墨烯层之前，还包括：

对所述鳍式结构进行等离子体处理。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述鳍式结构上形成初始石墨烯层包括：

在所述鳍式结构上形成一铜层；

采用化学气相沉积工艺在所述铜层上形成一层石墨烯薄膜；

覆盖聚甲基丙烯酸甲酯，并对所述铜层进行湿法刻蚀；

去除所述聚甲基丙烯酸甲酯，使得所述石墨烯薄膜转移至所述鳍式结构上形成所述初始石墨烯层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述初始石墨烯层的厚度为

5.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述图案化的金属层的材质为金属锌。

6.如权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，采用氢氯酸去除所述图案化的金属层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在去除所述图案化的金属层之后，在对所述双层石墨烯结构进行氢化处理之前，还包括：

采用氢氟酸清洗所述双层石墨烯结构。

8.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述氢化处理为由中性束产生氢原子束进行注入，压强10^-9Torr-10^-7Torr，温度小于等于100℃，电流为50A-200A，离子源的功率为5Kev-50Kev。

9.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述双层石墨烯结构上形成栅介电层之后，还包括：

在所述鳍式结构下半部分两侧形成介质层；

在所述介质层上形成横跨所述鳍式结构的栅极；

在所述鳍式结构中所述栅极两侧形成源、漏极。