[发明专利]汽相沉积工艺的气体前体产生系统和固体前体传输的方法

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及汽相沉积工艺的气体前体产生系统和固体前体传输的方法。

背景技术

在集成电路的制造中，汽相沉积是一种用于在衬底上方形成薄层或薄膜的工艺。术语“汽相沉积”包括物理汽相沉积(PVD)、化学汽相沉积(CVD)或CVD和PVD的组合(所谓的“混合”物理-化学汽相沉积)。在汽相沉积工艺中，衬底暴露于前体气体，前体气体沉积在衬底的表面处或在衬底的表面处反应并且在衬底上沉积反应的产品。

发明内容

本发明的实施例提供了一种用于汽相沉积工艺的气体前体产生系统，包括：前体安瓿，包括与载气源耦接的入口和与汽相沉积室耦接的出口；液体前体，布置在所述前体安瓿内，包括具有一种或多种离子液体并且配置为溶解固体前体的化学物质的溶剂；以及气体前体，通过所述液体前体的蒸发提供在所述前体安瓿的上部区域处并且通过所述前体安瓿的出口由载气携带入所述汽相沉积室，其中，所述固体前体的所述化学物质传送到所述汽相沉积室内并且沉积在衬底的表面上。

本发明的另一实施例提供了一种用于汽相沉积工艺的固体前体传输的方法，包括：提供前体安瓿，所述前体安瓿包括布置在所述前体安瓿中的固体前体；将包括一种或多种离子液体的溶剂加入到所述前体安瓿以溶解所述固体前体的化学物质并且形成液体前体；通过所述前体安瓿的入口将载气应用到所述液体前体中；通过所述液体前体的蒸发在所述前体安瓿的上部区域处产生气体前体；通过所述前体安瓿的出口由所述载气将所述气体前体携带至汽相沉积室，其中，将所述固体前体的所述化学物质传送至所述汽相沉积室中；以及在所述汽相沉积室内的衬底上沉积所述固体前体的所述化学物质。

本发明的又一实施例提供了一种用于汽相沉积工艺的固体前体传输的方法，包括：提供多个前体安瓿，所述前体安瓿包括布置在所述前体安瓿中的液体前体，所述液体前体包括离子液体溶剂和溶解在所述离子液体溶剂中的化学物质；提供耦合到多个所述前体安瓿的散装罐，所述散装罐包括保存在所述散装罐内并配置为通过缓冲罐和液体传输组件传输至所述前体安瓿的液体前体；通过所述液体前体的蒸发，在所述前体安瓿的上部区域处产生气体前体；通过载气将包括所述化学物质的所述气体前体引导到多个汽相沉积室；以及在所述汽相沉积室内的衬底的表面上沉积所述化学物质。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1示出用于汽相沉积的气体前体产生系统的一些实施例的截面图。

图2示出用于汽相沉积工艺的气体前体产生系统的一些其它实施例的截面图。

图3示出用于汽相沉积工艺的包括散装罐和多个前体安瓿的气体前体产生系统的一些其它实施例的图。

图4示出用于汽相沉积工艺的固体前体传输的方法的一些实施例的图。

图5示出用于汽相沉积工艺的固体前体传输的方法的一些实施例的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为了便于描述，在此可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”等空间相对术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且在此使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。