[发明专利]等离子切割的设备和方法

权利要求书

1.与工件结合的用于等离子切割半导体衬底的设备，所述工件包括所述半导体衬底和在框架构件上的载体片，其中，所述载体片承载所述半导体衬底，

所述设备包括：

腔室；

等离子产生装置，所述等离子产生装置被配置成在所述腔室内产生适于切割所述半导体衬底的等离子；

工件支撑件，所述工件支撑件位于所述腔室中，用于通过与所述载体片接触来支撑所述工件，其中，所述工件支撑件是静电卡盘；

框架盖元件，所述框架盖元件被配置成在使用时夹紧所述框架构件，从而夹紧所述载体片以抵靠所述静电卡盘；

其中：所述静电卡盘包括工件支撑表面，所述工件支撑表面具有周边并且通过与所述载体片接触来支撑所述工件；所述框架构件限定所述工件的周边；并且所述工件的周边完全位于所述工件支撑表面的周边内；

所述框架盖元件包括一个或多个突起，所述突起在使用时接触所述框架构件；

当在所述工件支撑件上不存在工件时，所述框架盖元件能与所述静电卡盘热接触；

所述静电卡盘包括一个或多个开口，所述开口用于当在所述静电卡盘上不存在工件时接收所述框架盖元件的所述突起。

2.根据权利要求1所述的设备，进一步包括热屏蔽件，所述热屏蔽件设置在所述框架盖元件上以对所述框架盖元件热屏蔽所述等离子。

3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述热屏蔽件与所述框架盖元件间隔开。

4.根据权利要求2所述的设备，其中，所述热屏蔽件与所述框架盖元件接触。

5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述热屏蔽件包括接触所述框架盖元件的一个或多个突起。

6.根据权利要求2所述的设备，其中，所述热屏蔽件由陶瓷材料形成。

7.根据权利要求1所述的设备，其中，不存在对所述框架盖元件热屏蔽所述等离子的热屏蔽件。

8.根据权利要求1所述的设备，进一步包括至少一个夹具，所述夹具将夹紧力施加到所述框架盖元件，以辅助所述框架盖元件夹紧所述支撑片以抵靠所述静电卡盘。

9.根据权利要求1所述的设备，其中，所述框架盖元件包括基本平坦的下表面，所述下表面在使用时接触所述框架构件。

10.根据权利要求1所述的设备，其中，所述框架盖元件由金属或陶瓷材料形成。

11.根据权利要求1所述的设备，进一步包括升降机构，所述升降机构用于降低和升高所述框架以与所述工件支撑件接触和脱离接触，并且用于降低和升高所述框架盖元件与所述框架构件和所述工件支撑件接触和脱离接触。

12.根据权利要求1所述的设备，进一步包括升降机构，所述升降机构用于降低和升高所述框架以与所述工件支撑件接触和脱离接触，并且用于降低和升高所述框架盖元件与所述框架构件接触和脱离接触。

13.根据权利要求1所述的设备，其中，所述载体片包括由聚合物材料和粘合剂形成的带。

14.根据权利要求1所述的设备，其中，所述载体片包括由聚合物材料形成的带。

15.一种用于等离子切割半导体衬底的方法，所述半导体衬底为形成工件的一部分的类型，所述工件进一步包括在框架构件上的载体片，其中，所述载体片承载半导体衬底，所述方法包括以下步骤：

提供根据权利要求1所述的设备；

通过使所述载体片与所述静电卡盘接触来支撑所述工件；

通过使所述框架构件与所述框架盖元件接触来夹紧所述载体片以抵靠所述静电卡盘；和

等离子切割所述半导体衬底。