[发明专利]一种OLED像素排列结构及显示方法有效
申请号: | 201610919290.9 | 申请日: | 2016-10-21 |
公开(公告)号: | CN107978616B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 陈凯凯;屈晓娟;高志豪 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 201506 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 像素 排列 结构 显示 方法 | ||
1.一种OLED像素排列结构,其特征在于,包括:多行多列像素单元,所述多行多列像素单元中设置多个像素;
对于所述多个像素中的任一像素包括三个子像素,所述三个子像素的形状均为平行四边形,所述三个子像素的设置方向一致;对于所述三个子像素中的任一子像素,至少一组对边与水平方向或竖直方向有一夹角;
对于所述多个像素中的任一像素的所述三个子像素设置在3/2个像素单元内,所述3/2个像素单元沿水平方向或竖直方向三等分为三个矩形区域;
对于设置在同行像素单元或同列像素单元的每相邻两个像素,设置在相邻的三个像素单元内,所述三个像素单元沿水平方向或竖直方向六等分为六个矩形区域;所述每相邻两个像素的每个像素均包括第一子像素,第二子像素,第三子像素;所述每相邻两个像素的第一子像素,第二子像素,第三子像素依次设置在所述六个矩形区域内;
若所述六个矩形区域依次为第一至第六区域,所述第一区域和所述第二区域构成的矩形区域的对角线为第一角度线,所述第二区域和所述第三区域构成的矩形区域的对角线为第二角度线,所述第一角度线与所述第二角度线相交,所述第三区域和所述第四区域构成的矩形区域的对角线为第三角度线,所述第三角度线与所述第二角度线相交,所述第四区域和所述第五区域构成的矩形区域的对角线为第四角度线,所述第四角度线与所述第三角度线相交,所述第五区域和所述第六区域构成的矩形区域的对角线为第五角度线,所述第四角度线与所述第五角度线相交;
所述每相邻两个像素的第一子像素,第二子像素,第三子像素的重心分别依次位于:所述第一角度线上、所述第一角度线与所述第二角度线的交点处,所述第二角度线与所述第三角度线的交点处,所述第三角度线与所述四角度线的交点处,所述第四角度线与所述五角度线的交点处,所述第五角度线上。
2.如权利要求1所述的OLED像素排列结构,其特征在于,
任一所述三个子像素的对角线呈水平设置或竖直设置。
3.如权利要求2所述的OLED像素排列结构,其特征在于,任一所述三个子像素的形状为正方形,所述第一角度线和所述第二角度线的夹角为2*Arc Tan(1),所述第二角度线和所述第三角度线的夹角为2*Arc Tan(1),所述第三角度线和所述第四角度线的夹角为2*ArcTan(1),所述第四角度线和所述第五角度线的夹角为2*Arc Tan(1)。
4.一种OLED像素显示方法,应用于如权利要求1至3中任一项的像素排列结构,其特征在于,包括:
确定用于显示弧形图像的至少两个相邻像素,所述至少两个相邻像素中包括位置交错的两个相邻像素,所述位置交错的两个相邻像素的显示内容构成一交错线段;
确定所述交错线段的拟合白线,所述交错线段的拟合白线是沿所述位置交错的两个相邻像素的子像素的轮廓边缘进行直线拟合得到的两条拟合曲线,其中,所述两条拟合曲线中的任一拟合曲线包括两条水平线段和连接在所述两条水平线段间的一条梯度线段,位于所述两条拟合曲线内的子像素,包括所述两个相邻像素的子像素,还包括就近与所述两个相邻像素的子像素混成白光的子像素;
提升位于所述交错线段的拟合白线内的子像素中的部分子像素的亮度,以使所述位于所述交错线段的拟合白线内的子像素混成白光。
5.如权利要求4所述的OLED像素显示方法,其特征在于,若相邻的第一像素和第二像素构成所述交错线段,所述位于交错线段的拟合白线内的子像素除了包括所述第一像素、所述第二像素的子像素外,还包括第三像素的一个或两个子像素,所述第三像素与所述第一像素、所述第二像素相邻;则所述提升位于所述交错线段的拟合白线内的子像素中的部分子像素的亮度的步骤,包括:
将所述第一像素和所述第二像素的子像素中与所述第三像素的一个或两个子像素就近混合成白光的子像素的亮度提升。
6.如权利要求5所述的OLED像素显示方法,其特征在于,所述第三像素的数量为一个或两个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的