[发明专利]显示装置以及该显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

基板；

栅电极，设置在所述基板上；

半导体图案，设置在所述栅电极上；

数据布线，设置在所述半导体图案上并且包含数据线、源电极和漏电极；

第一阻挡层，设置在所述数据布线和所述半导体图案之间；以及

底切，设置在所述第一阻挡层的每段的至少一侧上，

其中，所述第一阻挡层的对应于所述半导体图案的沟道部分的段上形成钼氧化物层，所述底切通过完全地去除所述钼氧化物层而不影响所述钼氧化物层下面的所述半导体图案而形成。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一阻挡层包含含有钼氧化物的钼氧化物区域以及含有钼(Mo)但是没有钼氧化物的Mo区域。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述钼氧化物区域设置在所述第一阻挡层的每段的外侧上并且所述Mo区域分别设置在所述钼氧化物区域的内侧。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述底切设置在所述钼氧化物区域中。

5.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述第一阻挡层的每段的在该段处形成所述底切的侧壁逐渐变窄或者反向地逐渐变窄。

6.根据权利要求2所述的显示装置，其中在所述钼氧化物区域的每个中的钼氧化物的浓度从对应的钼氧化物区域的外侧到内侧逐渐减小。

7.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述半导体图案包含Mo。

8.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述半导体图案的被所述源电极或所述漏电极交叠的区域被限定为重叠区域，所述半导体图案的其它区域被限定为非重叠区域，并且其中Mo的浓度在所述重叠区域中比在所述非重叠区域中高。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述Mo的浓度从所述非重叠区域的顶部分到底部分逐渐减小。

10.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

设置在所述数据布线上的第二阻挡层。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中所述第二阻挡层包含金属氧化物。

12.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述数据布线包含形成在所述数据布线的外侧的氧化物区域。

13.一种显示装置，包括：

基板；

栅电极，设置在所述基板上；

半导体图案，设置在所述栅电极上；

数据布线，形成在所述半导体图案上并且包含数据线、源电极和漏电极；

第一阻挡层，设置在所述数据布线和所述半导体图案之间；以及

钼氧化物层，设置在所述半导体图案的在所述源电极和所述漏电极之间的部分上，

其中在蚀刻所述数据布线期间，所述第一阻挡层保持不被蚀刻，

其中沟道部分形成在所述源电极和所述漏电极之间并且所述钼氧化物层部分地交叠所述沟道部分，所述钼氧化物层通过至少部分被去除而不影响所述钼氧化物层下面的所述半导体图案而形成。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述钼氧化物层覆盖所述半导体图案的顶表面的至少一部分。

15.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述第一阻挡层包含含有钼氧化物的钼氧化物区域以及含有Mo但是没有钼氧化物的Mo区域。

16.根据权利要求15所述的显示装置，其中所述钼氧化物区域设置在所述第一阻挡层的每段的外侧上并且所述Mo区域分别设置在所述钼氧化物区域的内侧。