[发明专利]具有堆叠中选择器的顶部钉扎SOT‑MRAM结构

权利要求书

1.一种存储器单元，包括：

磁隧道结；以及

选择器元件，其布置在所述磁隧道结上。

2.如权利要求1所述的存储器单元，其中，所述磁隧道结包括：

铁磁自由层；

阻挡层，其布置在所述铁磁自由层上并且与所述铁磁自由层接触；

铁磁参考层，其布置在所述阻挡层上并且与所述阻挡层接触；以及

覆盖层，其布置在所述铁磁参考层上并且与所述铁磁参考层接触，其中，选择器布置在所述覆盖层上并且与所述覆盖层接触。

3.如权利要求2所述的存储器单元，其中，所述铁磁自由层具有在膜平面中或垂直于膜平面的磁极化。

4.如权利要求2所述的存储器单元，其中，所述铁磁参考层具有在膜平面中或垂直于膜平面的磁极化。

5.如权利要求1所述的存储器单元，其中，所述选择器元件是具有金属层和半导体层的肖特基二极管。

6.如权利要求1所述的存储器单元，其中，所述选择器元件是具有p-n结的半导体二极管。

7.一种存储器单元阵列，包括：

多个第一引线；

多个第二引线；以及

多个存储器单元，其布置在多个第一引线和多个第二引线之间，其中，多个存储器单元中的每个存储器单元包括：

磁隧道结；以及

选择器元件，其布置在所述磁隧道结上。

8.如权利要求7所述的存储器单元阵列，其中，多个存储器单元中的每个存储器单元布置在多个第一引线的第一引线与多个第二引线的第二引线跨过的位置。

9.如权利要求7所述的存储器单元阵列，其中，多个存储器单元中的每个存储器单元的磁隧道结包括：

铁磁自由层；

阻挡层，其布置在所述铁磁自由层上并与所述铁磁自由层接触；

铁磁参考层，其布置在所述阻挡层上并与所述阻挡层接触；以及

覆盖层，其布置在所述铁磁参考层上并与所述铁磁参考层接触，其中，选择器布置在所述覆盖层上并与所述覆盖层接触。

10.如权利要求9所述的存储器单元阵列，其中，所述铁磁自由层布置在多个第二引线中的第二引线上并与第二引线接触，多个第一引线中的第一引线布置在选择器上并与选择器接触。

11.如权利要求7所述的存储器单元阵列，其中，多个第一引线的每个第一引线的电阻率低于多个第二引线的每个第二引线的电阻率。

12.如权利要求11所述的存储器单元阵列，其中，多个第一引线中的每个第一引线包括铜或铝，多个第二引线中的每个第二引线包括从由Pt、Ta、W、Hf、Ir、CuBi、CuIr和AuW中构成的组中选择的金属，其中，通过半选择机制执行写入过程，半选择机制包括使电流沿多个第二引线中的第二引线流动以及将电压施加到多个第一引线的第一引线的组合。

13.如权利要求7所述的存储器单元阵列，其中，所述选择器元件包括二极管。

14.如权利要求13所述的存储器单元阵列，其中，所述二极管是具有p-n结的半导体二极管。

15.如权利要求7所述的存储器单元阵列，其中，所述选择器元件是具有金属层和半导体层的肖特基二极管。

16.一种自旋-轨道转矩磁阻随机存取存储器，包括：

存储器单元阵列，包括：

多个第一引线；

多个第二引线；以及

多个存储器单元，其布置在多个第一引线和多个第二引线之间，其中，多个存储器单元的每个存储器单元包括：

磁隧道结；以及

选择器元件，其布置在所述磁隧道结上。

17.如权利要求16所述的自旋-轨道转矩磁阻随机存取存储器，其中，多个存储器单元的每个存储器单元的磁隧道结包括：

铁磁自由层；

阻挡层，其布置在所述铁磁自由层上并与所述铁磁自由层接触；

铁磁参考层，其布置在所述阻挡层上并与所述阻挡层接触；以及

覆盖层，其布置在所述铁磁参考层上并与所述铁磁参考层接触，其中，选择器布置在所述覆盖层上并与所述覆盖层接触。