[发明专利]向有机发光二极管沉积钝化层的直列式原子层沉积设备在审
申请号: | 201610924720.6 | 申请日: | 2016-10-24 |
公开(公告)号: | CN107916413A | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 朴根鲁 | 申请(专利权)人: | 奈恩泰克有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 王丽军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 沉积 钝化 直列式 原子 设备 | ||
1.一种向OLED基板沉积钝化层的直列式原子层沉积设备,所述设备包括:
适于在其中形成真空状态的真空室;
水平方向上的基板移动件,其被设置在真空室的下侧用于将OLED基板从真空室的一侧水平移动到真空室的另一侧;和
原子层沉积件,其设置在真空室的上侧,用于借助于原子层沉积向正在被基板移动件水平移动的OLED基板沉积钝化层。
2.根据权利要求1所述的直列式原子层沉积设备,其中,所述原子层沉积件被配置为具有彼此间隔开一给定距离的多个线源。
3.根据权利要求1所述的直列式原子层沉积设备,其中,每个线源包括:
竖立部,其被设置为在其中心处竖立放置以向下喷射前驱体;
第一等离子喷嘴,其被以朝向竖立部倾斜一给定角度的方式设置在竖立部的左侧,并且适于通过利用从外面供应的电源将过程气体转变为等离子以及向下喷射等离子;和
第二等离子喷嘴,其被以朝向竖立部倾斜一给定角度的方式设置在竖立部的右侧,并且适于通过利用从外面供应的电源将过程气体转变为等离子以及向下喷射等离子。
4.根据权利要求3所述的直列式原子层沉积设备,其中,所述第一等离子喷嘴包括:
第一外壳;
耦合到第一外壳的底侧的第一隔离体;
耦合到第一隔离体的底侧的第一电极;
在第一电极底侧的两侧上以相互面对的方式彼此间隔开的一对第一侧磁体安装部分;
第一中心磁体安装部分,其设置在第一电极的底侧的中心,用于将由第一侧磁体安装部分形成的空间分成两个部分;
第一侧磁体,其设置在第一侧磁体安装部分上;
第一中心磁体,其设置在第一中心磁体安装部分上;和
第一过程气体供应源,其设置在第一电极的底侧,用于向由第一侧磁体安装部分和第一中心磁体安装部分形成的空间供应过程气体。
5.根据权利要求4所述的直列式原子层沉积设备,其中,所述第一等离子喷嘴还包括:
第一电极冷却器,其设置在第一电极上,用于借助于冷却剂的循环来冷却第一电极;和
第一磁体冷却器,其设置在第一侧磁体安装部分的底侧,用于借助于冷却剂的循环来冷却第一侧磁体安装部分和第一侧磁体。
6.根据权利要求5所述的直列式原子层沉积设备,其中,所述第一侧磁体以允许N极部分和S极部分在上下方上彼此间隔开的方式设置在第一侧磁体安装部分的内表面上。
7.根据权利要求5所述的直列式原子层沉积设备,其中,所述第一中心磁体以允许N极部分和S极部分彼此相邻的方式设置在第一中心磁体安装部分上。
8.根据权利要求3所述的直列式原子层沉积设备,其中,所述第二等离子喷嘴包括:
第二外壳;
第二隔离体,其被耦合到第二外壳的底侧;
第二电极,其被耦合到第二隔离体的底侧;
在第二电极的底侧的两侧上以相互面对的方式彼此间隔开的一对第二侧磁体安装部分;
第二中心磁体安装部分,其设置在第二电极的底侧的中心,用于将由第二侧磁体安装部分形成的空间分成两个部分;
设置在第二侧磁体安装部分上的第二侧磁体;
设置在第二中心磁体安装部分上的第二中心磁体;和
第二过程气体供应源,其设置在第二电极的底侧上,用于向由第二侧磁体安装部分和第二中心磁体安装部分形成的空间供应过程气体。
9.根据权利要求2所述的直列式原子层沉积设备,其中,双隔壁设置在相邻的线源之间用于相互隔离相邻的线源之间的空间,从而将由双隔壁形成的屏蔽空间保持在比安装着线源的空间中的压力低的压力。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奈恩泰克有限公司,未经奈恩泰克有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610924720.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的