[发明专利]一种生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN纳米柱及其制备方法有效
| 申请号： | 201610925721.2 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN106531851B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 李国强;王海燕;林志霆 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/12;H01L33/06 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 ligao2 衬底 极性 gan 纳米 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
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