[发明专利]用于闪速存储器的增量阶跃脉冲编程的自适应方法有效
申请号: | 201610928851.1 | 申请日: | 2016-10-31 |
公开(公告)号: | CN107025943B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 李濬;张延 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;王莹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 存储器 增量 阶跃 脉冲 编程 自适应 方法 | ||
1.一种编程闪速存储器的方法,所述方法包括:
使用试验编程电压对多个存储器单元执行编程或校验操作以确定单元编程速度;
基于所述确定的单元编程速度修正开始编程电压;以及
执行一系列编程或校验操作以将多个选择的存储器单元编程至目标编程状态,其中在所述一系列编程或校验操作的第一个操作中,使用等于所述修正的开始编程电压的编程电压,并且在随后的编程或校验操作中,所述编程电压从所述修正的开始编程电压被递增直到所述多个选择的存储器单元被编程至所述目标编程状态。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述试验编程电压在所述闪速存储器的寿命期间是恒定电压。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述开始编程电压被设置成所述试验编程电压减去Δ电压,所述Δ电压表示所述试验编程电压分布的上拉电压与对应于多个单元状态中的一个的阈值电压分布的上拉电压之间的差。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述试验编程电压和所述阈值电压分布的上拉电压两者都是恒定电压。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述试验编程电压被选择,使得所述试验编程电压分布的上拉大于对应于多个不同编程状态中的最低编程状态的第一阈值电压分布的上拉,并且小于对应于多个不同编程状态中的最高编程状态的最后阈值电压分布的上拉。
6.一种编程闪速存储器的方法,所述方法包括:
通过将试验编程电压施加至多个存储器单元来编程所述多个存储器单元;
执行多个编程校验操作以确定针对所述编程的多个存储器单元的试验编程电压分布的上拉电压;以及
使用开始编程电压编程所述多个存储器单元,其中所述开始编程电压被设置成试验编程电压减去Δ电压,所述Δ电压表示所述试验编程电压分布的上拉电压与对应于多个单元状态中的一个的阈值电压分布的上拉电压之间的差。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述试验编程电压和所述阈值电压分布的上拉电压两者都是恒定电压。
8.根据权利要求6所述的方法,其中所述试验编程电压被选择,使得所述试验编程电压分布的上拉大于对应于多个不同编程状态中的最低编程状态的第一阈值电压分布的上拉,并且小于对应于多个不同编程状态中的最高编程状态的最后阈值电压分布的上拉。
9.根据权利要求6所述的方法,其中执行多个编程校验操作包括执行二分搜索以确定所述试验编程电压分布的上拉电压。
10.一种编程闪速存储器的方法,所述方法包括:
通过将试验编程电压施加至多个存储器单元来编程多个存储器单元;
确定针对所述编程的多个存储器单元的试验编程电压分布的上拉电压;
获得所述试验编程电压分布的上拉电压和对应于多个单元状态中的一个的阈值电压分布的上拉电压之间的电压差;
将所述试验编程电压减小与所述获得的电压差相等的量;
将开始编程电压的值设置成所述减小的试验编程电压;以及
执行一系列编程或校验操作以将多个选择的存储器单元编程至目标编程状态,其中在所述一系列编程或校验操作的第一个操作中,使用等于所述开始编程电压的编程电压。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述试验编程电压和所述阈值电压分布的上拉电压两者都是恒定电压。
12.根据权利要求10所述的方法,其中所述试验编程电压被选择,使得所述试验编程电压分布的上拉大于对应于多个不同编程状态中的最低编程状态的第一阈值电压分布的上拉,并且小于对应于多个不同编程状态中的最高编程状态的最后阈值电压分布的上拉。
13.根据权利要求10所述的方法,其中所述试验编程电压分布的上拉电压使用二分搜索来确定。
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