[发明专利]封装基板、覆晶式封装及其制造方法在审
| 申请号： | 201610929466.9 | 申请日： | 2013-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN107086213A | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 萧友享;杨秉丰;邵郁琇;林光隆 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 覆晶式 及其 制造 方法 | ||
1.一种封装基板，包括：
一基板本体，具有相对的一第一基板表面与一第二基板表面；
多数个金属导线，配置在该基板本体的该第一基板表面上，该些金属导线各具有一上导线表面与至少一个侧导线表面；以及
一薄膜，形成在该些金属导线的该至少一个侧导线表面上，其中所述薄膜对焊料的润湿性小于所述上导线表面。
2.如权利要求1所述的封装基板，其中该薄膜的材质包括介电材料。
3.如权利要求1所述的封装基板，其中该薄膜的材质包括该些金属导线的氧化物。
4.如权利要求1所述的封装基板，其中该薄膜的厚度介于0.1至1.0微米。
5.如权利要求1所述的封装基板，其中该金属导线包括至少一可氧化金属层与一抗氧化金属层，且该薄膜形成在该可氧化金属层的侧导线表面。
6.一种覆晶式封装，包括：
一晶粒，具有相对的一第一晶粒表面与一第二晶粒表面，该第一晶粒表面具有多数个连接垫；
多数个导电柱，配置在该些连接垫上并电性连接至该些连接垫；
一基板本体，具有相对的一第一基板表面与一第二基板表面；
多数个金属导线，配置在该基板本体的该第一基板表面上，该些金属导线各具有一上导线表面与至少一个侧导线表面；
一薄膜，形成在该些金属导线的该至少一个侧导线表面上，其中所述薄膜对焊料的润湿性小于所述上导线表面；以及
多数个焊料层，配置在该些金属导线的该些上导线表面与该些导电柱之间，并电性连接该些导电柱与该些金属导线。
7.如权利要求6所述的覆晶式封装，其中该薄膜的厚度介于0.1至1.0微米。
8.如权利要求6所述的覆晶式封装，其中该些金属导线各具有一导线宽度，该些导电柱各具有一柱宽度，该柱宽度除以该导线宽度的值是介于0.8～2.5。
9.一种封装基板的制造方法，包括：
提供一基板本体，该基板本体具有相对的一第一基板表面与一第二基板表面；
于该基板本体的该第一基板表面上形成多数个金属导线，该些金属导线各包括至少一可氧化金属层与一抗氧化金属层，该些抗氧化金属层位在该些金属导线的上部分；以及
对该些金属导线进行氧化工艺，以在该些金属导线的该些可氧化金属层的该至少一个侧导线表面上形成一薄膜。
10.如权利要求9所述的封装基板的制造方法，其中形成厚度介于0.1至1.0微米的该薄膜。
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