[发明专利]一种多层堆叠晶圆的研磨方法有效
申请号: | 201610929793.4 | 申请日: | 2016-10-31 |
公开(公告)号: | CN108022836B | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 陆建刚;施林波;陈福成 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;B24B1/00;B24B37/00;B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;高伟 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多层 堆叠 研磨 方法 | ||
1.一种多层堆叠晶圆的研磨方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供第一晶圆和第二晶圆,并对两者进行熔胶键合,其中所述第二晶圆位于所述第一晶圆的上方;
对所述第二晶圆的边缘进行切边处理;
研磨所述第二晶圆;
在所述第二晶圆上方提供第三覆盖晶圆,并将所述第二晶圆与其进行共熔键合;
研磨所述第一晶圆;
研磨所述第三覆盖晶圆,研磨所述第三覆盖晶圆时仅对所述第三覆盖晶圆的中心区域进行研磨,不对所述第三覆盖晶圆的边缘区域进行研磨,进而在所述第三覆盖晶圆的边缘区域形成凸起的环状结构;
同时切割所述第三覆盖晶圆、所述第二晶圆和所述第一晶圆。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一晶圆上形成有CMOS,所述第二晶圆上形成有MEMS。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在研磨所述第二晶圆后,还包括对所述第二晶圆进行后序处理工艺。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,研磨所述第二晶圆的工艺为化学机械研磨。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,研磨所述第一晶圆的工艺为化学机械研磨。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第三覆盖晶圆、第二晶圆和第一晶圆的切割方法是物理切割。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二晶圆的切边宽度为2-2.5mm。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二晶圆的研磨后的厚度为20-60μm。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一晶圆的研磨后的厚度为150-250μm。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述环状结构的宽度为2-2.2mm,研磨后,所述第三覆盖晶圆的中心区域的厚度为200-300μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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