[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光显示OLED装置，该有机发光显示装置包括：

薄膜晶体管，该薄膜晶体管位于基板上；

第一电极，该第一电极与所述薄膜晶体管电连接；

有机发光层，该有机发光层位于所述第一电极上，所述有机发光层用隔板分离；

隔板盖，该隔板盖位于所述隔板上，所述隔板盖的上表面的宽度小于所述隔板盖的下表面的宽度；

第二电极，该第二电极位于所述有机发光层上；

封装层，该封装层位于所述第二电极上，

辅助电极，该辅助电极和所述第一电极设置在同一层中，其中，所述隔板设置在所述辅助电极上；以及

堤状部，该堤状部位于所述第一电极和所述辅助电极的侧边处。

2.根据权利要求1所述的OLED装置，其中，所述第二电极与所述辅助电极电连接。

3.根据权利要求1所述的OLED装置，其中，所述隔板的上表面的宽度大于所述隔板的下表面的宽度。

4.根据权利要求1所述的OLED装置，其中，所述堤状部和所述隔板盖由同一材料形成。

5.根据权利要求4所述的OLED装置，其中，所述封装层设置在所述隔板与所述堤状部之间的空间中。

6.根据权利要求1所述的OLED装置，其中，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极绝缘膜、栅极、绝缘间层、源极以及漏极。

7.根据权利要求6所述的OLED装置，其中，所述有源层由基于硅的半导体材料或基于氧化物的半导体材料形成。

8.根据权利要求6所述的OLED装置，其中，用于暴露所述有源层的第一端部的第一接触孔被设置在所述栅极绝缘膜和所述绝缘间层中，并且用于暴露所述有源层的第二端部的第二接触孔被设置在所述栅极绝缘膜和所述绝缘间层中。

9.根据权利要求8所述的OLED装置，其中，所述源极经由所述第一接触孔与所述有源层的所述第一端部连接，并且所述漏极经由所述第二接触孔与所述有源层的所述第二端部连接。

10.根据权利要求8所述的OLED装置，其中，在形成在所述薄膜晶体管上的钝化层和形成在所述钝化层上的平坦化层中制备用于暴露所述漏极的第三接触孔。

11.根据权利要求10所述的OLED装置，其中，所述第一电极经由所述第三接触孔与所述漏极连接。

12.根据权利要求1所述的OLED装置，其中，所述第一电极由铟锡氧化物ITO或铟锌氧化物IZO形成。

13.根据权利要求1所述的OLED装置，其中，所述第一电极具有包括钼(Mo)、钼(Mo)和钛(Ti)的合金(MoTi)、铝(Al)、银(Ag)和APC(Ag、Pb、Cu)中的一种或多种金属材料的多层结构。

14.根据权利要求4所述的OLED装置，其中，所述堤状部和所述隔板盖由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、苯并环丁烯BCB中的一种或多种有机绝缘材料形成。

15.一种制造有机发光显示OLED装置的方法，该方法包括以下步骤：

将薄膜晶体管设置在基板上；

设置与所述薄膜晶体管电连接的第一电极，并且将辅助电极与所述第一电极设置在同一层中；

将隔板设置在所述辅助电极上；

将堤状部设置在所述第一电极和所述辅助电极的侧边处；

将隔板盖设置在所述隔板上；

将有机发光层设置在所述第一电极上；

将第二电极设置在所述有机发光层上；以及

将封装层设置在所述第二电极上，

其中，所述隔板盖的上表面的宽度小于所述隔板盖的下表面的宽度。