[发明专利]一种高压气体开关电极及其制备方法在审
| 申请号： | 201610930520.1 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN106654861A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 关锦清;谭成文;樊亚军;于晓东;张兴家;乔汉青;石一平;夏文峰;石磊;曹雨 | 申请（专利权）人： | 西北核技术研究所;北京理工大学 |
| 主分类号： | H01T1/22 | 分类号： | H01T1/22;H01T21/00 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 汪海艳 |
| 地址： | 710024 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 气体 开关 电极 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高压气体开关电极，其特征在于：包括基体及位于基体表面的涂层，所述涂层为钨多晶涂层。
2.根据权利要求1所述的高压气体开关电极，其特征在于：所述基体的材质为纯铜。
3.根据权利要求1所述的高压气体开关电极，其特征在于：所述基体的形状为平板、球头或环形形状。
4.根据权利要求1或2或3所述的高压气体开关电极，其特征在于：所述涂层厚度小于0.5mm。
5.一种制备高压气体开关电极的方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一：根据高压气体火花开关自击穿电极结构设计基体结构；
步骤二：清洁步骤一中电极基体表面；
步骤三：采用化学运输沉积的方法，在步骤二清洁后的电极基体表面生长高纯钨多晶涂层；
步骤四：将步骤三得到的电极进行抛光处理。
6.根据权利要求5所述的制备高压气体开关电极的方法，其特征在于：所述步骤三具体为：
将纯铜基体放入沉积室，将质量纯度为99.99％的WF6和体积纯度为99.99％的H2以摩尔比为1:2～1:4的比例通入所述沉积室中，沉积温度为530℃～620℃，在纯铜基体表面沉积制备钨多晶涂层。
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