[发明专利]成像装置和方法有效

专利信息
申请号: 201610931684.6 申请日: 2016-10-31
公开(公告)号: CN108024035B 公开(公告)日: 2020-02-04
发明(设计)人: 刘坤;郭先清;傅璟军 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: H04N5/225 分类号: H04N5/225
代理公司: 11447 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 南毅宁;桑传标
地址: 518118 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 成像 装置 方法
【说明书】:

本公开涉及一种成像装置和方法,该成像装置包括:感光元件、设置在感光元件的像素阵列前方的双通滤光片,以及处理单元,双通滤光片用于抑制波长在第一波长至第二波长之间以及大于第三波长的光信号;像素阵列中的每个像素单元中至少包括第一滤光像素以及第一非滤光像素,第一滤光像素和第一非滤光像素均用于采集第一颜色的光信号,第一滤光像素还用于抑制入射光中的波长在第二波长至第三波长之间的光信号;处理单元用于根据每个像素单元中的第一滤光像素采集的光信号和第一非滤光像素采集的光信号获取第一非滤光像素采集的光信号中的红外信号,以及当不需要红外信号时,将每个像素单元中的所有非滤光像素采集的光信号中的红外信号滤除。

技术领域

本公开涉及成像技术领域,尤其涉及一种成像装置和方法。

背景技术

随着图像传感器可应用范围越来越广,人们不单单满足于图像传感器拍摄艳丽图像信息的应用,图像传感器也逐渐的应用于识别及距离判断的应用。当图像传感器既能够用于采集艳丽的图像信息又能作为识别、距离判断等方面的应用时,就要求图像传感器具备红外波段信号与可见光信号的区别能力,因此就会需要加入IR(红外线)-cut滤光片切换模组。现有技术主要通过在CMOS(互补型金属氧化物半导体场效应)图像传感器芯片感光的光路前加入可以切换的IR-cut滤光片,当拍摄艳丽图像时将IR-cut滤光片挡在CMOS图像传感器芯片之前,滤除红外波段的信号,可以消除近红外波段的光信号对可见光波段图像信息的影响,当需要采集红外波段信号时,将IR-cut滤光片从CMOS图像传感器芯片之前移开,使近红外波段的信号能够被CMOS图像传感器采集到。但是上述的现有技术中,较频繁的对IR-cut滤光片进行切换,易导致IR-cut滤光片切换模组的损坏,从而影响整机的质量等,此外需要通过机械或电磁的方式切换IR-cut滤光片,会产生噪音。

发明内容

本公开的目的是提供一种成像装置和方法,用于解决现有技术中IR-cut滤光片切换模组易损坏且切换时有噪音的问题。

为了实现上述目的,根据本公开实施例的第一方面,提供一种成像装置,所述装置包括:

感光元件、双通滤光片以及处理单元,所述双通滤光片设置在所述感光元件的像素阵列前方,所述双通滤光片用于抑制入射光中的波长在第一波长至第二波长之间的光以及波长大于第三波长的光信号;其中,所述第一波长小于所述第二波长,所述第二波长小于所述第三波长,所述第一波长属于可见光波段,所述第二波长和所述第三波长属于近红外波段;

所述像素阵列包括M*N个像素单元,每个像素单元中至少包括第一滤光像素以及对应的第一非滤光像素,所述第一滤光像素和所述第一非滤光像素均用于采集第一颜色的光信号,所述第一滤光像素还用于抑制入射光中的波长在所述第二波长至所述第三波长之间的光信号;

所述处理单元用于根据所述每个像素单元中的所述第一滤光像素采集的光信号和所述第一非滤光像素采集的光信号获取所述第一非滤光像素采集的光信号中的红外信号;

所述处理单元还用于当生成图像不需要所述红外信号时,将所述每个像素单元中的所有非滤光像素采集的光信号中的所述红外信号滤除。

可选的,所述第一滤光像素包括:第一颜色滤镜,设置在所述第一颜色滤镜上方的微透镜,设置在所述第一颜色滤镜下方的通过滤光材料制成的滤光层,以及设置在所述滤光层下方的光电二极管,所述滤光层用于抑制入射光中的波长在所述第二波长至所述第三波长之间的光信号。

可选的,所述第一滤光像素包括:第一颜色滤镜,设置在所述第一颜色滤镜上方的微透镜,以及设置在所述第一颜色滤镜下方的光电二极管,所述第一颜色滤镜中掺入有滤光材料,所述滤光材料用于抑制入射光中的波长在所述第二波长至所述第三波长之间的光信号。

可选的,每个像素单元中还包括:第二非滤光像素和第三非滤光像素,所述第二非滤光像素用于采集第二颜色的光信号,所述第三非滤光像素用于采集第三颜色的光信号;或者,

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