[发明专利]用于处理基板的装置和方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，包括：

处理腔室，所述处理腔室包括彼此联接以限定处理空间的上腔室和下腔室；

支撑单元，所述支撑单元被设置在所述处理空间内以支撑基板；以及

排气元件，所述排气元件被配置成从所述处理空间或所述处理空间的相邻区域排出空气，

其中，所述排气元件包括与外排气孔连接的外排气管线，以及

所述外排气孔形成在所述上腔室或所述下腔室中且与所述上腔室和所述下腔室彼此接触的位置处的接触表面连接。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括密封元件，所述密封元件被设置在所述上腔室和所述下腔室之间的所述接触表面上以相对于外部气密封所述处理空间。

其中，所述外排气孔形成在与所述密封元件相比更远离所述支撑单元的外部位置处。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述排气元件还包括与内排气孔连接的内排气管线，以及

所述内排气孔形成在所述上腔室或所述下腔室中并用于从所述处理空间排出空气。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述排气元件还包括：

与所述内排气管线和所述外排气管线两者连接的组合管线；以及

设置在所述组合管线上的减压元件。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，还包括：

加热单元，所述加热单元被配置成对装载在所述支撑单元上的所述基板加热；以及

供气单元，所述供气单元被配置成将气体供入所述处理空间中。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，还包括控制所述供气单元和所述减压元件的控制器，

其中，所述控制器控制所述供气单元和所述减压元件以在处理所述基板的过程期间将所述处理空间保持在50帕斯卡至500帕斯卡的压力。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，待通过所述供气单元供给的所述气体包含六甲基二硅氮烷HMDS。

8.一种基板处理装置，包括：

处理腔室，所述处理腔室包括彼此联接以限定处理空间的上腔室和下腔室；

支撑单元，所述支撑单元被设置在所述处理空间内以支撑基板；

排气元件，所述排气元件被配置成从所述处理空间或所述处理空间的相邻区域排出空气，以及

控制器，所述控制器控制所述排气元件，

其中，在将用作紧密接触气体的六甲基二硅氮烷气体供给至所述基板上以处理所述基板的过程期间，所述控制器控制所述排气元件以将所述处理空间保持在50帕斯卡至500帕斯卡的压力。

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，还包括密封元件，所述密封元件设置在所述上腔室和所述下腔室彼此接触的位置处的接触表面上，以相对于外部气密封所述处理空间，

其中，所述排气元件包括：

外排气管线，所述外排气管线与外排气孔连接，所述外排气孔形成在所述上腔室或所述下腔室中并与所述接触表面连接；以及

内排气管线，所述内排气管线与内排气孔连接，所述内排气孔形成在所述上腔室或所述下腔室中并用于从所述处理空间中排出空气，

其中，所述外排气孔形成在与所述密封元件相比更远离所述支撑单元的外部位置处。

10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述排气元件还包括：

与所述内排气管线和所述外排气管线两者连接的组合管线；以及

设置在所述组合管线上的减压元件。

11.根据权利要求8至10中的任一项所述的基板处理装置，还包括：

加热单元，所述加热单元被配置成对装载在所述支撑单元上的所述基板加热；以及

供气单元，所述供气单元被配置成将所述六甲基二硅氮烷气体供入所述处理空间中。

12.一种处理基板的方法，包括：

将紧密接触气体供入气密封的处理空间中以处理布置在所述处理空间中的基板，所述紧密接触气体为六甲基二硅氮烷气体，

其中，在供给所述紧密接触气体期间，将所述处理空间或所述处理空间的相邻区域减压以将所述处理空间保持在50帕斯卡至500帕斯卡的压力。