[发明专利]激光诱导制备KNb3O8纳米线的方法有效
| 申请号： | 201610933225.1 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN106495219B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 刘立英;李瑞;王如志;严辉;隋曼龄 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C01G33/00 | 分类号： | C01G33/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光 诱导 制备 knb3o8 纳米 方法 | ||
【权利要求书】：
1.激光诱导制备KNb3O8纳米线的方法，其特征在于，包括以下工艺步骤：
1)将KOH溶解到去离子水中，配置浓度为25mol/L的氢氧化钾溶液；
2)称取五氧化二铌粉体；将称取好的五氧化二铌粉末，加入到已经配好的氢氧化钾溶液中，使K：Nb的摩尔比例为50:1，用磁力搅拌器充分搅拌，使溶液混合均匀；
3)将石英玻璃，用酒精超声清洗，再用去离子水洗涤若干次；
4)使用直流溅射方法，在清洗干净的石英玻璃上先镀一层厚度为15～20nm的Ti；再使用喷金仪镀一层厚度为130～140nm的Au，作为KNb3O8纳米线生长的衬底；
5)将制备好的衬底平放入一个耐碱容器底部，有金膜的一面朝上；将制备好的溶液倒入小容器中，没过衬底；
6)使用波长为405nm的半导体激光，激光电流为50mA，功率为1.2W，照射4-12min；
7)照射完毕，从溶液中用镊子取出衬底，用去离子水冲洗几次，在衬底的上表面得到KNb3O8一维纳米结构。
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