[发明专利]半导体模块有效

专利信息
申请号: 201610933793.1 申请日: 2016-10-31
公开(公告)号: CN107068642B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 稻叶哲也;池田良成 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/492 分类号: H01L23/492;H05K1/18
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 胡秋瑾
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 模块
【权利要求书】:

1.一种半导体模块,其特征在于,具有:

多个半导体芯片,表面上设有栅极电极,

栅极端子,输入来自外部的控制信号,

印刷基板,具有栅极布线层,所述栅极布线层对输入所述栅极端子的所述控制信号进行分路,并导通至多个所述半导体芯片各自的所述栅极电极,并且,所述栅极布线层的剖面积随着从所述栅极电极靠近所述栅极端子而变大。

2.如权利要求1所述的半导体模块,其特征在于,

所述半导体模块还具有由导体构成的漏极板、和层叠绝缘板和电路板而构成的层叠基板,

所述半导体芯片在表面上还设有源极电极,并且在背面还设有漏极电极,

将来自外部的电流输入所述漏极板的背面,

所述漏极板的表面上配置有多个所述半导体芯片和所述层叠基板,

所述漏极板与所述漏极电极电连接,

所述栅极布线层与所述栅极端子经由所述电路板电连接。

3.如权利要求2所述的半导体模块,其特征在于,

所述电路板上配置有所述栅极端子。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体模块,其特征在于,

所述栅极布线层的各分路的所述剖面积随着从所述栅极电极靠近所述栅极端子而变大。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体模块,其特征在于,

所述栅极布线层中,导通所述控制信号的路径的厚度,随着从所述栅极电极靠近所述栅极端子而变厚。

6.如权利要求1至4中任一项所述的半导体模块,其特征在于,

所述栅极布线层中,导通所述控制信号的路径的宽度,随着从所述栅极电极靠近所述栅极端子而变宽。

7.如权利要求5所述的半导体模块,其特征在于,

所述栅极布线层中,靠近所述栅极电极处的导通所述控制信号的路径的厚度在0.1mm以上且1.65mm以下。

8.如权利要求6所述的半导体模块,其特征在于,

所述栅极布线层中,靠近所述栅极电极处的导通所述控制信号的路径的宽度在0.1mm以上且1.65mm以下。

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