[发明专利]光刻机水平向测量装置及方法有效
申请号: | 201610934216.4 | 申请日: | 2016-10-31 |
公开(公告)号: | CN108020995B | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 杨玉杰 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G01B11/16 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 水平 测量 装置 方法 | ||
本发明公开了一种光刻机水平向测量装置及方法,该装置包括整机框架、设于所述整机框架上的投影物镜单元、物镜倾角测量单元和物镜倾角补偿单元,所述物镜倾角测量单元包括与所述投影物镜单元镜筒上方位对应的第一位置测量单元、与所述投影物镜单元镜筒下方位对应的第二位置测量单元以及位于所述投影物镜单元一侧的主支架。通过与投影物镜单元镜筒上方位对应的第一位置测量单元和与投影物镜单元镜筒下方位对应的第二位置测量单元测量投影物镜单元相对主支架的倾角,物镜倾角补偿单元根据所述倾角计算工件台和掩模台之间的偏移量,移动掩模台和工件台进行补偿,从而解决了光刻机框架变形和热变形的影响导致套刻精度降低和CDU性能差的问题。
技术领域
本发明涉及光刻机技术领域,具体涉及一种光刻机水平向测量装置及方法。
背景技术
在当今信息化社会中,人们对液晶显示器的要求越来越高。目前,OLED(OrganicLight-Emitting Diode,有机发光显示器)具有超薄、主动发光、高亮度、高对比度、高视觉、工作稳定范围大、低功耗、低成本等优点,被人们广泛应用。生产制造OLED产品需要TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)光刻机设备。
随着人们对液晶显示尺寸需求越来越大,从而要求生产制造OLED的TFT光刻机设备也越来越大;随之承载玻璃基板的工件台尺寸也越来越大,工件台的运动质量也就越来越大。然而支撑工件台、掩模台及物镜的框架结构刚度是有限的,致使掩模台、工件台的运动对于整机结构静力变形和动态性能的影响越来越大,从而影响到套刻成像精度和CDU(关键尺寸均匀性)性能。在光刻机的内部,因光刻机的尺寸越来越大,测量系统受到短期温度漂移的影响越来越大,会导致测量系统不准,从而也会影响到物镜的成像。
现有技术中提供了一种光刻机水平测量装置及测量方法,用于TFT安装时,支撑脚的垂向高度差的测量,并根据支撑脚的垂向高度差对支撑脚作水平调整,然而该方法无法实现在光刻机工作中进行水平向检测及调整。
发明内容
本发明提供了一种光刻机水平向测量装置及方法,以解决现有技术中存在的光刻机框架变形和热变形而导致套刻成像精度差和CDU性能差的问题。
为了解决上述技术问题,本发明的技术方案是:一种光刻机水平向测量装置,包括整机框架、设于所述整机框架上的投影物镜单元、物镜倾角测量单元和物镜倾角补偿单元,所述物镜倾角测量单元包括与所述投影物镜单元镜筒上方位对应的第一位置测量单元、与所述投影物镜单元镜筒下方位对应的第二位置测量单元以及位于所述投影物镜单元一侧的主支架。
进一步的,所述第一位置测量单元包括固设于所述主支架上的掩模台干涉仪支架、设于所述掩模台干涉仪支架上的掩模台测量干涉仪和物镜掩模台参考干涉仪、以及设于所述投影物镜单元上方且与所述物镜掩模台参考干涉仪对应的物镜掩模台参考镜,所述物镜掩模台参考干涉仪设于所述掩模台测量干涉仪下方。
进一步的,所述第二位置测量单元包括固设于所述主支架上的工件台干涉仪支架、设于所述工件台干涉仪支架上的工件台测量干涉仪和物镜工件台参考干涉仪、以及设于所述投影物镜单元下方且与所述物镜工件台参考干涉仪对应的物镜工件台参考镜,所述物镜工件台参考干涉仪设于所述工件台测量干涉仪上方。
进一步的,所述第一位置测量单元还包括设于所述掩模台干涉仪支架上的主基板掩模台参考干涉仪和设于所述主基板上且与所述主基板掩模台参考干涉仪对应的主基板掩模台参考镜,所述主基板掩模台参考干涉仪和所述物镜掩模台参考干涉仪具有水平向相同,垂向有高度差的位置关系。
进一步的,所述第二位置测量单元还包括设于所述工件台干涉仪支架上的主基板工件台参考干涉仪和设于主基板上且与所述主基板工件台参考干涉仪对应的主基板工件台参考镜,所述主基板工件台参考干涉仪和物镜掩模台参考干涉仪和主基板掩模台参考干涉仪具有水平向相同,垂向有高度差的位置关系。
进一步的,所述整机框架采用钢件制成,所述投影物镜单元采用陶瓷件材料框架制成。
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