[发明专利]校准晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201610934480.8 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107978586B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 王燕;保罗·邦凡蒂;刘源;季文明 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 余昌昊<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 校准 晶片 及其 制造 方法 | ||
1.一种校准晶片，包括衬底晶片及形成于所述衬底晶片上的校准粒子，其特征在于，
所述校准粒子是氧化铝粒子，并且所述氧化铝粒子通过半沉积方法沉积在所述衬底晶片一半的表面内；
所述衬底晶片被划分成M个扫描区，分别为第一扫描区、第二扫描区、第三扫描区、......、第M-1扫描区和第M扫描区，每个扫描区内均有五组所述校准粒子，M为自然数。
2.如权利要求1所述的校准晶片，其特征在于，所述氧化铝粒子是通过溶胶-凝胶方法制备得到。
3.如权利要求1所述的校准晶片，其特征在于，所述M个扫描区都是以所述衬底晶片中心为圆心的扇环，并且所述扇环的圆心角为180°。
4.如权利要求1所述的校准晶片，其特征在于，所述第一扫描区在所述第二扫描区内侧，所述第二扫描区在所述第三扫描区内侧......所述第M-1扫描区在所述第M扫描区内侧。
5.如权利要求1所述的校准晶片，其特征在于，所述M个扫描区的环宽均相等。
6.如权利要求1所述的校准晶片，其特征在于，五组所述校准粒子在其对应的扫描区中等距排布。
7.如权利要求1所述的校准晶片，其特征在于，所述M是2～7的自然数。
8.如权利要求1所述的校准晶片，其特征在于，所述衬底晶片是硅片。
9.如权利要求8所述的校准晶片，其特征在于，所述衬底晶片的形状为圆形。
10.一种制造校准晶片的方法，其特征在于，包括如下步骤：
在去离子水中溶解半径大小相同的氧化铝颗粒形成溶液；
向所述溶液中通入干燥的空气；
通过半沉积方法使一种半径的所述氧化铝颗粒在衬底晶片一半的表面内沉积，再更换另一种半径的氧化铝颗粒，进行相同的步骤，在所述衬底晶片上沉积，其中，所述氧化铝颗粒作为所述校准晶片的校准粒子。
11.如权利要求10所述的制造校准晶片的方法，其特征在于，所述氧化铝颗粒是通过溶胶-凝胶方法制备得到。
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