[发明专利]电极的制作方法、薄膜晶体管及其制作方法、相关基板

说明书

本发明公开了一种电极的制作方法、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板，用以降低生产成本，实现大面积生产。电极的制作方法包括：在基板上制作至少一具有疏水性质的疏水结构，每一所述疏水结构包括位于边缘区域的疏水突起和位于中间区域的疏水膜；去除所述疏水膜；在至少一疏水突起上制作导电溶液，使得所述导电溶液侵润所述疏水突起，形成位于所述疏水突起两侧的电极；去除所述疏水突起。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种电极的制作方法、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

氧化物薄膜晶体管，作为实现电信号处理、控制与传输功能的基础元件，应用于平板显示、柔性电子领域及智能电子等新兴领域。但与传统的硅基微电子器件相比，氧化物薄膜晶体管在性能、稳定性、工作速度和集成度等方面还存在很大的差距。

目前，提高氧化物薄膜晶体管的工作速度一般通过提高氧化物半导体材料的迁移率、减小沟道长度以及减少寄生电容等方式实现。现有技术通常采用减小沟道长度的方式来提高氧化物薄膜晶体管的工作速度。

现有技术一般采用传统的光刻技术或离子束刻蚀技术实现短沟道(沟道长度小于等于5微米)氧化物薄膜晶体管的制备，这些技术虽然能有效实现短沟道氧化物器件的制备，但存在材料浪费、工艺复杂、生产成本高、刻蚀效率低、无法大面积生产等问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种电极的制作方法、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，用以降低生产成本，实现大面积生产。

本发明实施例提供的一种电极的制作方法，该方法包括：

在基板上制作至少一具有疏水性质的疏水结构，每一所述疏水结构包括位于边缘区域的疏水突起和位于中间区域的疏水膜；

去除所述疏水膜；

在至少一疏水突起上制作导电溶液，使得所述导电溶液侵润所述疏水突起，形成位于所述疏水突起两侧的电极；

去除所述疏水突起。

由本发明实施例提供的电极的制作方法，该方法中首先在基板上制作具有疏水性质的疏水结构，疏水结构包括疏水突起和疏水膜；之后去除疏水膜，在疏水突起上制作导电溶液，使得导电溶液在疏水突起上去浸润，形成位于疏水突起两侧的电极；最后去除疏水突起，本发明实施例是利用疏水突起的疏水效应，让导电溶液自发在疏水突起上去浸润，来形成电极，不需要采用光刻技术或离子(电子)束刻蚀技术，能够降低生产成本，且本发明实施例可以大面积制备疏水结构，即可实现大面积生产；另外，当采用本发明实施例的方法制作薄膜晶体管的源极和漏极时，可以控制疏水突起在沿薄膜晶体管沟道长度方向上的宽度值不大于5微米，来制作短沟道薄膜晶体管，制作短沟道薄膜晶体管时不需要采用光刻技术或离子(电子)束刻蚀技术，大大降低了生产成本。

较佳地，所述在基板上制作至少一具有疏水性质的疏水结构，包括：

在基板上采用喷墨打印的方法印刷至少一具有疏水性质的疏水结构。

较佳地，所述疏水结构的材料为全氟树脂材料。

较佳地，所述去除所述疏水膜，包括：

对制作有所述疏水结构的基板进行等离子体处理后对等离子体处理后的基板进行退火处理。

较佳地，所述等离子体处理的功率为30瓦到100瓦，等离子体处理时间为3分钟到15分钟。

较佳地，所述退火处理的温度为80℃到150℃，退火处理时间为5分钟到20分钟。

较佳地，所述在至少一疏水突起上制作导电溶液之后，在去除所述疏水突起之前，还包括：

对制作有所述导电溶液的基板进行退火处理。