[发明专利]一种用于太阳能电池光吸收层的铜锑硒薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610936514.7 申请日: 2016-10-25
公开(公告)号: CN106531825B 公开(公告)日: 2018-01-02
发明(设计)人: 李志强;麦耀华;朱红兵;陈静伟 申请(专利权)人: 河北大学
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;C01B19/00
代理公司: 石家庄国域专利商标事务所有限公司13112 代理人: 白利霞,苏艳肃
地址: 071002 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 太阳能电池 光吸收 铜锑硒 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种用于太阳能电池光吸收层的铜锑硒薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(a)按预制铜锑硒薄膜的铜锑硒化合物的摩尔比组成称取含有铜源、锑源和硒源的化合物原料,混合后再加入到由硫醇和胺组成的二元混合溶剂中,搅拌,完全溶解,得前驱体溶液;所述硫醇和胺的体积比为1:7-9;所述铜锑硒化合物与二元混合溶剂的摩尔体积比为0.3-0.45mmol:10mL;

(b)在所述前驱体溶液中加入醇类有机溶剂,搅拌均匀,涂抹于电极基板上,干燥,涂抹第二层,干燥;采用相同的涂抹方法涂抹、干燥数次,在电极基板上沉积了前驱体薄膜;所述前驱体溶液与醇类有机溶剂的体积比为5-10:12-20;

(c)将沉积有前驱体薄膜的电极基板置于惰性气体或含硒源的气氛中,在300-450℃下加热10-60 min,即得。

2.根据权利要求1所述的用于太阳能电池光吸收层的铜锑硒薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(a)中铜锑硒化合物为CuSbSe2、Cu3SbSe4、Cu3SbSe3、CuSbSe4或Cu12Sb4Se13中的任意一种。

3.根据权利要求2所述的用于太阳能电池光吸收层的铜锑硒薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(a)中含有铜源的化合物为铜粉、硒化亚铜、硒化铜粉末中的至少一种;含有锑源的化合物为锑粉、硒化锑粉末中的至少一种;含有硒源的化合物为硒化亚铜、硒化锑粉末、硒粉中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的用于太阳能电池光吸收层的铜锑硒薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(a)中所述硫醇为乙硫醇、乙二硫醇、异丙醇胺或甲硫醇中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的用于太阳能电池光吸收层的铜锑硒薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(a)中所述胺为乙二胺、二乙胺或乙醇胺中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的用于太阳能电池光吸收层的铜锑硒薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(b)醇类有机溶剂为乙二醇或异丙基甲醇。

7.根据权利要求1所述的用于太阳能电池光吸收层的铜锑硒薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(b)中电极基板为沉积有电极层的基片衬底,所述电极层是由金属钼、金或透明导电氧化物制备的电极层,所述基片衬底为钠钙玻璃、不锈钢箔或聚酰亚胺膜的任意一种。

8.根据权利要求1所述的用于太阳能电池光吸收层的铜锑硒薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(b)中所述涂抹于电极基板上的涂抹方法为旋涂法、刮涂法中任意一种。

9.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7或8所述的用于太阳能电池光吸收层的铜锑硒薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(b)所述干燥工艺为在150-300℃下烘干30-90 min。

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