[发明专利]闪存及其制造方法

权利要求书

1.一种闪存的制造方法，其特征在于，包括：

同时刻蚀电容区和外围区中的绝缘层、所述电容区和所述外围区中的浮栅层以及所述电容区和所述外围区中的隧穿氧化层，以在所述电容区中形成初始源极引出区和初始漏极引出区；

在所述初始源极引出区、所述初始漏极引出区和所述绝缘层上形成控制栅层；

同时刻蚀所述初始源极引出区、所述初始漏极引出区和所述外围区中的控制栅层，以在所述电容区中形成最终源极引出区和最终漏极引出区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述同时刻蚀电容区和外围区中的绝缘层、所述电容区和所述外围区中的浮栅层以及所述电容区和所述外围区中的隧穿氧化层之前，还包括：

在有源层上依次形成隧穿氧化层、浮栅层和绝缘层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述隧穿氧化层采用原位水汽生长工艺形成。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的材料为二氧化硅。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述浮栅层采用化学气相沉积工艺形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述同时刻蚀所述电容区和所述外围区中的绝缘层、所述电容区和所述外围区中的浮栅层以及所述电容区和所述外围区中的隧穿氧化层包括：

采用湿法刻蚀工艺依次同时刻蚀所述电容区和所述外围区中的绝缘层、浮栅层和隧穿氧化层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层包括依次在所述浮栅层上形成的第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述形成最终源极引出区和最终漏极引出区之后，还包括：

在所述最终源极引出区和所述最终漏极引出区中沉积金属，以将源极和漏极引出。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述金属为钨。

10.一种闪存，其特征在于，所述闪存由权利要求1-9中任一所述的方法制得。