[发明专利]一种SiC或Si图案衬底上生长的粗化倒装GaAs基LED外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201610937274.2 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN106449923B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李志虎;张新;于军;王成新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00;H01L33/30 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic si 图案 衬底 生长 倒装 gaas led 外延 及其 制备 方法 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司，未经山东浪潮华光光电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610937274.2/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
