[发明专利]一种制备Pb3(PO4)2纳米线薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 201610940877.8 申请日: 2016-10-26
公开(公告)号: CN106335873B 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 潘宏程;汤红园;李建平 申请(专利权)人: 桂林理工大学
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 541004 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 pb3 po4 纳米 薄膜 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于纳米薄膜材料领域,特别涉及一种制备Pb3(PO4)2纳米线薄膜的方法。

背景技术

Pb3(PO4)2常为六方形无色结晶或白色粉末,不溶于水和醇,溶于硝酸,不能燃烧,热水中缓慢水解,是一种重要的无机盐产品,工业上常用作电极材料和塑料稳定剂,同时也是目前公认的最好的铁弹性化合物之一。目前,国内外的主要生产方法如下:在室温条件下,以硝酸铅和磷酸钠等为原料,在水溶液中直接沉淀法一步合成磷酸铅。上述的方法生产出来的磷酸铅纯度低、杂质含量高、粒径不均、形貌不规则,不能满足现代工业对磷酸铅晶须材料的要求。利用化学水浴在PbS薄膜上自发生长Pb3(PO4)2纳米线,方法简单易行,相比于其他生长方法,其最大优点就是无需另外添加还原剂,制备过程简单,并且纳米线形貌规整,长径比大,直径均一,适合大规模生产。

发明内容

本发明的目的是提供一种制备Pb3(PO4)2纳米线薄膜的方法。

本发明的原理和思路:利用电沉积的方法将PbS沉积在电极表面,形成一种载体薄膜,把电极浸入PBS缓冲溶液中,再在恒温水浴锅中生长48~72小时,最后取出电极,电极上就自发地生长上Pb3(PO4)2纳米线薄膜。

具体步骤为:

(1)将事先裁好的导电玻璃电极分别用分析纯丙酮、分析纯乙醇和二次水各超声清洗3 min,空气干燥后制得基体电极。

(2)依次量取1mL浓度为0.2 mol/L的 Pb(NO3)2溶液、1 mL浓度为0.2 mol/L的EDTA溶液、3.5 mL浓度为0.3 mol/L的Na2S2O3溶液和4 mL浓度为1.25 mol/L的Na2SO4溶液一起置于20 mL烧杯中混合均匀,制得电沉积PbS薄膜底液。

(3)在步骤(2)制得的电沉积PbS薄膜底液中建立三电极体系,其中,步骤(1)制得的基体电极作为工作电极,Ag/AgCl为参比电极,Pt为辅助电极,用循环伏安法进行电沉积,扫描范围为-1~0V,扫描速度为0.05V/s,扫描段数为50~60段,沉积结束后,取出工作电极,其表面上就沉积出PbS薄膜,制得PbS基体电极。

(4)量取8mL PBS缓冲溶液加入洁净的生长瓶中,然后把步骤(3)制备的PbS基体电极斜放入生长瓶中,再将生长瓶置于45℃的水浴锅中恒温条件下反应48~72小时,最后取出PbS基体电极,其上生长的薄膜即为Pb3(PO4)2纳米线薄膜。

所述导电玻璃电极为铟锡氧化物电极。

所述PBS缓冲溶液是浓度为0.2mol/L 的Na2HPO4-NaH2PO4缓冲溶液,其pH=6.8。

本发明方法制备过程简单,且所制得的Pb3(PO4)2纳米线薄膜的附着力强,形貌规整,长径比大,直径均一,效率高,成本低,易于大规模生产,在电极材料、传感器和增塑剂等领域有着潜在的应用价值。

附图说明

图1为本发明实施例1中制得的Pb3(PO4)2纳米线的X射线衍射图。

图2为本发明实施例1中制得的PbS薄膜的扫描电镜图。

图3为本发明实施例1中制得的Pb3(PO4)2纳米线薄膜的扫描电镜图。

具体实施方式

以下将结合说明书附图和具体实施例对本发明做进一步详细说明。

实施例1:

(1)将事先裁好的导电玻璃电极分别用分析纯丙酮、分析纯乙醇和二次水各超声清洗3 min,空气干燥后制得基体电极。

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