[发明专利]一种真空区熔硅单晶生长用加热线圈的表面预处理方法有效
| 申请号： | 201610941175.1 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN106498495B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 闫萍;庞炳远;刘洪 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B13/16;C23C14/24;C23C14/14 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 胡京生 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 真空 区熔硅单晶 生长 加热 线圈 表面 预处理 方法 | ||
【权利要求书】：
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