[发明专利]一种铌酸锂薄膜QPSK光调制器及其制造方法

权利要求书

1.一种铌酸锂薄膜QPSK光调制器，其特征在于，包括：光学波导(2)、金属薄膜电极(3)、石英基底晶片(5-1)、铌酸锂薄膜(5-2)，所述石英基底晶片(5-1)为光学级、双面抛光的石英晶片，其厚度为0.1mm至2mm，所述铌酸锂薄膜(5-2)为光学级、具有单晶结构、切向为X切Y传、厚度为0.1μm至20μm，所述光学波导(2)为钛扩散波导，其扩散宽度为0.1μm至10μm，扩散深度为0.1μm至10μm，所述金属薄膜电极(3)具有行波结构、厚度在0.1μm至30μm。

2.根据权利要求1所述的铌酸锂薄膜QPSK光调制器，其特征在于，还包括用于进行铌酸锂薄膜QPSK光调制器封装的金属封装管壳，所述金属封装管壳包括：金属封装管壳壳体(6-1)、射频同轴连接器(6-2)、相位调制器引脚(6-3)、光纤模块(6-4)、光纤(6-5),铌酸锂薄膜晶片(5-2)装载在金属封装管壳壳体(6-1)中,射频同轴连接器(6-2)装载在金属封装管壳壳体(6-1)的外壁上，通过键合引线将射频同轴连接器(6-2)的管脚与铌酸锂薄膜晶片上的金属薄膜电极(3)连接,相位调制器引脚(6-3)通过键合引线与铌酸锂薄膜晶片上的金属薄膜电极(3)连接,铌酸锂薄膜(5-2)的光学波导(2)的输入端与输出端分别与光纤模块(6-4)进行耦合粘接，将光纤(6-5)从金属封装管壳壳体(6-1)两侧穿出。

3.根据权利要求2所述的铌酸锂薄膜QPSK光调制器，其特征在于，所述金属封装管壳壳体(6-1)采用不锈钢基体材料，射频同轴连接器(6-2)采用SMA、K、V、GPO、GPPO、G3PO等同轴连接器。

4.根据权利要求1所述的铌酸锂薄膜QPSK光调制器，其特征在于，所述金属薄膜电极(3)为金或铝等金属薄膜制成的电极结构。

5.一种如权利要求1所述的铌酸锂薄膜QPSK光调制器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在光学级铌酸锂晶片上采用制作QPSK调制器光学波导图形所需的钛条图形，钛条宽度在0.1μm至10μm，钛条厚度在10nm至200nm；

2)制作铌酸锂QPSK调制器的光学波导(2)，波导扩散宽度为0.1μm至10μm，扩散深度为0.1μm至10μm；

3)采用将铌酸锂晶片与石英基底晶片(5-1)进行键合；

4)将石英基底上的铌酸锂晶片减薄，厚度在0.1μm至20μm；

5)在铌酸锂薄膜上表面制作QPSK光调制器的金属薄膜电极(3)，金属薄膜厚度在0.1μm至30μm；

6)在铌酸锂薄膜QPSK光调制器芯片的光学波导(2)的输入端和输出端通过光纤模块(6-4)进行耦合粘接，放置于金属封装管壳壳体(6-1)中；

7)装载射频同轴连接器(6-2)，并将铌酸锂薄膜晶片上的金属薄膜电极(3)与射频同轴连接器(6-2)的管脚、相位调制器引脚(6-3)进行键合引线；

8)完成铌酸锂薄膜QPSK光调制器的气密性封装。

6.根据权利要求5所述的铌酸锂薄膜QPSK光调制器的制造方法，其特征在于，所述金属封装管壳包括：金属封装管壳壳体(6-1)、射频同轴连接器(6-2)、相位调制器引脚(6-3)、光纤模块(6-4)、光纤(6-5)。

7.根据权利要求6所述的铌酸锂薄膜QPSK光调制器的制造方法，其特征在于，所述金属封装管壳壳体采用不锈钢基体材料，射频同轴连接器(6-2)采用SMA、K、V、GPO、GPPO、G3PO等同轴连接器。

8.根据权利要求5所述的铌酸锂薄膜QPSK光调制器的制造方法，其特征在于，所述金属薄膜电极(3)为金或铝金属薄膜制成的行波结构电极。