[发明专利]透明导电层的制备方法

说明书

一种透明导电层的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管；提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层；将所述碳纳米管膜设置在所述绝缘层上；将碳纳米管膜放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，放大倍数为1万～10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管膜拍摄照片；获得碳纳米管膜的照片，照片中碳纳米管分布在衬底上，比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管，比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管；按照和照片相同的比例，在实物上相同的位置对半导体型的碳纳米管进行标识，并除去半导体型的碳纳米管。

技术领域

本发明涉及一种透明导电层的制备方法，尤其设置一种基于碳纳米管的透明导电层的制备方法。

背景技术

碳纳米管膜作为透明导电层，被越来越多的领域应用。现有技术中，碳纳米管膜通过一定方法获得之后，便直接拿来用作透明导电层。然而，由于碳纳米管可以分为金属型和半导体型两种类型，半导体型的碳纳米管导电性能差，因此，在采用碳纳米管膜作为透明导电层时，碳纳米管膜中的半导体型的碳纳米管影响了透明导电层的导电性能。因此，采用传统方法获得的碳纳米管透明导电膜的导电性能不好，需要进一步改善。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种透明导电层的制备方法，该透明导电层的制备方法可以克服以上缺点。

一种透明导电层的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管；提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层，将所述碳纳米管膜设置在所述绝缘层上；将碳纳米管膜放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，放大倍数为1万～10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管膜拍摄照片；获得碳纳米管膜的照片，照片中碳纳米管分布在衬底上，比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管，比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管；按照和照片相同的比例，在实物上相同的位置对半导体型的碳纳米管进行标识，并除去半导体型的碳纳米管。

相较于现有技术，本发明所提供的透明导电层的制备方法中，包括一除去半导体型碳纳米管的步骤，使得透明导电层中的碳纳米管均为金属型碳纳米管，因此，获得的透明导电层的导电性能良好。

附图说明

图1为本发明第一实施例提供的透明导电层的制备方法的流程示意图。

图2为本发明第一实施例提供的碳纳米管类型的判断方法所获得的碳纳米管的照片。

图3为图2的示意图。

图4为现有技术中，采用扫描电镜获得的碳纳米管照片。

图5为图4的示意图。

主要元件符号说明

无

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

以下将结合附图对本发明的提供的透明导电层的制备方法进一步的详细说明。

请参阅图1，本发明第一实施例提供透明导电层的制备方法，其包括以下步骤：

S1：提供一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管；

S2：提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层，将碳纳米管膜设置于所述绝缘层上；

S3：将碳纳米管膜放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，放大倍数为1万～10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管膜拍摄照片；

S4：获得碳纳米管膜的照片，照片中碳纳米管分布在衬底上，比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管，比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管；以及