[发明专利]压电元件及其制造方法、超声波探头、超声波测定装置有效
| 申请号： | 201610943104.5 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN107046094B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 山崎清夏;田村博明 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/083 | 分类号： | H01L41/083;H01L41/27;H01L41/312;A61B8/00;A61B8/08;B06B1/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压电 元件 及其 制造 方法 超声波 探头 测定 装置 | ||
1.一种压电元件，包括：
压电体；以及
振动膜，将各向异性的单晶硅作为振动用材料，所述各向异性具有泊松比相对高的位向和泊松比相对低的位向，所述泊松比相对低的位向称为“低泊松比位向”，
以所述低泊松比位向成为沿着所述压电体的高伸缩方向的方向的方式层叠所述压电体和所述振动膜，所述高伸缩方向是所述压电体根据支承结构产生的伸缩程度相对高的方向和相对低的方向中相对高的方向。
2.根据权利要求1所述的压电元件，其中，
所述单晶硅的晶向为[001]，所述低泊松比位向为或[110]。
3.根据权利要求1所述的压电元件，其中，
所述单晶硅的晶向为[010]，所述低泊松比位向为[101]或
4.根据权利要求1所述的压电元件，其中，
所述单晶硅的晶向为[100]，所述低泊松比位向为[011]或
5.根据权利要求1所述的压电元件，其中，
所述单晶硅的晶向为[110]，所述低泊松比位向为中任一个。
6.根据权利要求1所述的压电元件，其中，
所述单晶硅的晶向为[011]，所述低泊松比位向为中任一个。
7.根据权利要求1所述的压电元件，其中，
所述单晶硅的晶向为[101]，所述低泊松比位向为中任一个。
8.一种超声波探头，具备用于接收超声波的权利要求1至7中任一项所述的压电元件。
9.一种超声波测定装置，具备权利要求8所述的超声波探头。
10.一种压电元件的制造方法，包括以下工序：
从各向异性的单晶硅晶圆切出用于振动膜的振动用材料，所述各向异性具有泊松比相对高的位向和泊松比相对低的位向，所述泊松比相对低的位向称为“低泊松比位向”；以及
以所述低泊松比位向成为沿着压电体的高伸缩方向的方向的方式层叠所述压电体和所述振动膜，所述高伸缩方向是所述压电体根据支承结构产生的伸缩程度相对高的方向和相对低的方向中相对高的方向。
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