[发明专利]晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括器件区域和电阻区域；

在所述电阻区域的衬底中形成第一隔离结构；

在所述器件区域的衬底上形成伪栅结构，在形成所述伪栅结构的过程中，

在所述第一隔离结构上形成电阻结构；

在所述伪栅结构两侧的衬底中形成源漏掺杂区；

对所述电阻结构进行离子掺杂，以调整电阻结构阻值；

进行退火工艺处理，以激活源漏掺杂区的离子和电阻结构中的离子；

去除所述伪栅结构；

在所述伪栅结构原位置处形成栅极结构。

2.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述对晶体管进行退火工艺处理的步骤包括：采用尖峰退火或激光退火方式进行退火工艺处理。

3.如权利要求2所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述退火工艺为尖峰退火，所述退火工艺的温度为950-1100℃。

4.如权利要求2所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述退火工艺为激光退火，所述退火工艺的温度为1200-1300℃。

5.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述对电阻结构进行离子掺杂的步骤包括：对所述电阻结构进行N型离子掺杂；

或者，对所述电阻结构进行P型离子掺杂。

6.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述对电阻结构进行离子掺杂的步骤包括：采用离子注入的方式对所述电阻结构进行离子掺杂。

7.如权利要求6所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述离子注入的离子源为BF2，离子注入的能量范围为2-100keV，剂量范围为1.0E13-1.0E16atm/cm2；

或者，所述离子注入的离子源为B，离子注入的能量范围为2-100keV，剂量范围为1.0E13-1.0E16atm/cm2。

8.如权利要求6所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述离子注入的离子源为P，离子注入的能量范围为2-100keV，剂量范围为1.0E13-1.0E16atm/cm2；

或者，所述离子注入的离子源为As，离子注入的能量范围为2-100keV，剂量范围为1.0E13-1.0E16atm/cm2。

9.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述提供衬底的步骤包括：在所述器件区域的衬底上形成多个分立的鳍部；

所述在电阻区域的衬底中形成第一隔离结构的步骤包括：在形成第一隔离结构的过程中，在所述器件区域鳍部之间的衬底中形成第二隔离结构；

所述在器件区域形成伪栅结构的步骤包括：形成横跨所述鳍部并覆盖所述鳍部的部分顶部和侧壁表面形成伪栅结构；

所述在伪栅结构两侧的衬底中形成源漏掺杂区的步骤包括：在所述伪栅结构两侧的鳍部内形成源漏掺杂区。

10.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述在器件区域的衬底上形成伪栅结构，以及在所述第一隔离结构上形成电阻结构的步骤包括：形成覆盖衬底的多晶硅膜；

在所述多晶硅膜上形成硬掩膜层；

以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述多晶硅膜，分别在第一隔离结构上形成第一多晶硅层，在器件区域衬底上形成第二多晶硅层，所述第一多晶硅层用于形成电阻结构，所述第二多晶硅层用于形成伪栅结构。

11.如权利要求10所述的晶体管的制造方法，其特征在于，在所述伪栅结构两侧的衬底中形成源漏掺杂区后，对所述电阻结构进行离子掺杂前，所述制造方法还包括：在所述电阻区域和器件区域的衬底上形成层间介质层，所述层间介质层露出所述伪栅结构和电阻结构。