[发明专利]半导体器件

说明书

本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其包括第一区和第二区；第一区的衬底上的第一栅极结构和第二栅极结构；第二区的衬底上的第三栅极结构和第四栅极结构；第一层间绝缘膜，其位于第一区的衬底上，并且包括第一下层间绝缘膜和第一上层间绝缘膜；第二层间绝缘膜，其位于第二区的衬底上，并且包括第二下层间绝缘膜和第二上层间绝缘膜；第一接触部分，其位于第一栅极结构与第二栅极结构之间和第一层间绝缘膜中；以及第二接触部分，其形成在第三栅极结构与第四栅极结构之间，并且位于第二层间绝缘膜中。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年11月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0160290的优先权，该申请的内容以引用方式全文并入本文中。

技术领域

示例实施例涉及一种半导体器件。

背景技术

近来信息媒体的分布的增长已导致半导体器件的功能性的提升。为了确保更高的竞争力，可能需要新的半导体产品通过更高度的集成来满足更低成本和更高质量的要求。半导体继续缩小以实现更高的集成。

正在进行的研究致力于增大半导体器件的操作速度和提高集成密度。半导体器件配有诸如金属氧化物半导体（MOS）晶体管的分立器件。半导体器件的集成导致MOS晶体管的栅极之间的距离逐渐减小，并且还导致栅极之间的接触形成区逐渐变窄。

发明内容

示例实施例的一个目的是提供一种能够通过根据栅极间的间距调整源极/漏极接触部分的大小来提高操作性能和可靠性的半导体器件。

示例实施例旨在解决的目标不限于上述这些，并且本领域技术人员可基于下面提供的描述清楚地理解上面未提及的其它目标。

根据示例实施例，一种半导体器件包括：衬底，其包括第一区和第二区；形成在第一区的衬底上的第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构与第二栅极结构间隔开第一距离；形成在第二区的衬底上的第三栅极结构和第四栅极结构，第三栅极结构与第四栅极结构间隔开与第一距离不同的第二距离；第一层间绝缘膜，其位于第一区的衬底上，并且包括第一下层间绝缘膜和位于第一下层间绝缘膜上的第一上层间绝缘膜，第一下层间绝缘膜包围第一栅极结构的侧壁的一部分和第二栅极结构的侧壁的一部分；第二层间绝缘膜，其位于第二区的衬底上，并且包括第二下层间绝缘膜和位于第二下层间绝缘膜上的第二上层间绝缘膜，第二下层间绝缘膜包围第三栅极结构的侧壁的一部分和第四栅极结构的侧壁的一部分；第一接触部分，其形成在第一栅极结构与第二栅极结构之间并且在第一层间绝缘膜中，第一接触部分具有第一宽度；以及第二接触部分，其形成在第三栅极结构与第四栅极结构之间并且在第二层间绝缘膜中，第二接触部分具有与第一宽度不同的第二宽度，其中第一宽度基于第一栅极结构的上表面，第二宽度基于第三栅极结构的上表面。

在本发明构思的一些示例实施例中，第一下层间绝缘膜不介于第一上层间绝缘膜与第一栅极结构的侧壁之间以及不介于第一上层间绝缘膜与第二栅极结构的侧壁之间。

在本发明构思的一些示例实施例中，第一距离大于第二距离，第一宽度大于第二宽度。

在本发明构思的一些示例实施例中，半导体器件还可包括形成在第一下层间绝缘膜与第一栅极结构的侧壁之间以及第一下层间绝缘膜与衬底的上表面之间的第一衬垫。

在本发明构思的一些示例实施例中，第一衬垫不在第一上层间绝缘膜与第一栅极结构的侧壁之间延伸。

在本发明构思的一些示例实施例中，第一栅极结构的侧壁上的第一衬垫的最上面的部分的高度低于第一栅极结构的上表面的高度。

在本发明构思的一些示例实施例中，半导体器件还可包括形成在第二下层间绝缘膜与第三栅极结构的侧壁之间以及第二下层间绝缘膜与衬底的上表面之间的第二衬垫。