[发明专利]一种富有机铬凉薯高产栽培方法在审
| 申请号： | 201610948037.6 | 申请日： | 2016-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN108371027A | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 梁春林 | 申请（专利权）人： | 梁春林 |
| 主分类号： | A01G22/40 | 分类号： | A01G22/40;A01B79/02;A01C21/00;C05G1/00;C05F17/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 537628 广西壮族自*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高产栽培 机铬 种苗 有机铬含量 虫害 地垄 基肥 沤制 追施 种植 精选 增产 | ||
【权利要求书】：
1.一种富有机铬凉薯高产栽培方法，其特征在于，包括：精选种苗→整理地垄→沤制基肥→种植种苗→追施薯肥。
2.如权利要求1所述一种富有机铬凉薯高产栽培方法，其特征在于，各步骤过程如下：
1)精选种苗，即在苗地中选择粗壮无病害虫害的薯苗30-40cm裁剪下来备用。
2)整理地垄：在坡田或山地不积水地块整地垄，整地块除草松土后起垄，垄高30-50cm，宽50-80cm，垄沟宽20-30cm备用。
3)沤制基肥：每亩用量如下，称取牛粪2000公斤，复合肥1000公斤，有机铬0.5公斤，大青叶粉100公斤。制法如下：先把牛粪与复合肥拌匀称，后把有机铬与大青叶粉混配匀称，再上上述四种物品混配匀称，堆沤1-3个月备用。
4)移植种苗：在地垄顶上开沟，沟宽4-5cm，深15-20cm，放入基肥，亩施已沤制好的基肥1000公斤，种植薯苗后踏压实在地垄地。
5)追施薯肥：待凉薯苗长至50-70cm时，即追施肥料2100公斤每亩，在地垄顶侧边挖沟，沟深8cm，宽3-5cm，放入基肥后回土。
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