[发明专利]一种用于MPPT电路的超低压比较器电路及MPPT电路

权利要求书

1.一种用于MPPT电路的超低压比较器电路，其特征在于，包括：

同相输入端(V_p)；

反相输入端(V_n)；

输出端(VOUT)；

第一比较器，电连接至所述同相输入端(V_p)及所述反相输入端(V_n)，用于对所述同相输入端(V_p)及所述反相输入端(V_n)输入的信号进行比较以得到减法器的第一控制信号(V_oa)；

所述减法器，电连接所述同相输入端(V_p)及所述反相输入端(V_n)以接收所述同相输入端(V_p)及所述反相输入端(V_n)输入的信号作为所述减法器的两个输入信号，电连接所述第一比较器的输出端以获取所述第一控制信号(V_oa)，电连接所述输出端(VOUT)以获取电源电压信号，电连接第二比较器以输出第二控制信号(V_ob)及第三控制信号(V_oc)；

所述第二比较器，电连接所述输出端(VOUT)，根据所述第二控制信号(V_ob)及所述第三控制信号(V_oc)输出四种不同占空比的调制信号。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一比较器包括第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)、第四晶体管(M4)；其中，

所述第一晶体管(M1)及所述第三晶体管(M3)依次串接于所述反相输入端(V_n)与接地端(GND)之间；

所述第二晶体管(M2)及所述第四晶体管(M4)依次串接于所述同相输入端(V_p)与接地端(GND)之间；

所述第一晶体管(M1)及所述第二晶体管(M2)的控制端均电连接至所述第一晶体管(M1)与所述第三晶体管(M3)串接形成的节点(A)处，所述第三晶体管(M3)及所述第四晶体管(M4)的控制端均电连接至所述同相输入端(Vp)；

所述第二晶体管(M2)与所述第四晶体管(M4)串接形成的节点(B)作为所述第一比较器的输出端以输出所述第一控制信号(V_oa)。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管(M1)及所述第二晶体管(M2)为PMOS晶体管且其控制端为PMOS晶体管的栅极，所述第三晶体管(M3)及所述第四晶体管(M4)为NMOS晶体管且其控制端为NMOS晶体管的栅极。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述减法器包括第五晶体管(M5)、第六晶体管(M6)、第七晶体管(M7)、第八晶体管(M8)、第一多路开关及第二多路开关；其中，

所述第五晶体管(M5)及所述第六晶体管(M6)依次串接于所述输出端(VOUT)与接地端(GND)之间，且其控制端均电连接至所述第一比较器的输出端；

所述第七晶体管(M7)及所述第八晶体管(M8)依次串接于所述第一多路开关与所述第二多路开关之间，且其控制端分别电连接至所述同相输入端(V_p)和所述反相输入端(V_n)，其衬底端均电连接至参考电压源(V_DTH)；

所述第一多路开关的两个输入端分别电连接至所述输出端(VOUT)与接地端(GND)，其输出端电连接至所述第七晶体管(M7)且其第一控制端(S1)电连接至所述第一比较器的输出端，第二控制端(S2)电连接至所述第五晶体管(M5)与所述第六晶体管(M6)串接形成的节点(C)处；

所述第二多路开关的两个输入端分别电连接至所述输出端(VOUT)与接地端(GND)，其输出端电连接至所述第八晶体管(M8)且其第一控制端(S1)电连接至所述第五晶体管(M5)与所述第六晶体管(M6)串接形成的节点(C)处，第二控制端(S2)电连接至所述第一比较器的输出端；

所述第五晶体管(M5)与所述第六晶体管(M6)串接形成的节点(C)输出所述第二控制信号(V_ob)，所述第七晶体管(M7)与所述第八晶体管(M8)串接形成的节点(D)作为所述减法器的输出端以输出所述第三控制信号(V_oc)。