[发明专利]一种甜叶菊四倍体的培育方法

权利要求书

1.一种甜叶菊四倍体的培育方法，其特征在于：所述培育方法包括以下步骤：

（1）选材：选取生长健壮长势良好的甜叶菊植株的种子；

（2）种子处理：将甜叶菊种子经清洗、消毒后在无菌培养基皿内剪开，取出种胚进行无菌培养，使种胚萌发为绿色种胚原球茎；

（3）诱导培养：将原球茎接种于添加有二甲基亚砜和秋水仙素的出芽诱导培养基上进行诱导一次培养3~5天，再转移到仅含秋水仙素的培养基上进行诱导二次培养4~6h，再转移到不含二甲基亚砜和秋水仙素的培养基上进行培养15~20天，即得到所述甜叶菊四倍体植株。

2.根据权利要求1所述的甜叶菊四倍体的培育方法，其特征在于：所述步骤（2）中清洗、消毒的步骤包括：将种子置于洗洁精浸泡15~20分钟，清洗干净后置于体积分数为75%的酒精中，于超声波条件下消毒10~20秒，最后用无菌水清洗3~5次。

3.根据权利要求1所述的甜叶菊四倍体的培育方法，其特征在于：所述步骤（2）中无菌培养的步骤包括：将种胚分散在少量无菌水中，用吸管吸取含种胚的无菌水，将其接种到B5+NAA 0.2mg/L的培养基上，于25~30℃条件下，遮光培养7~10天，转为光照培养25~30天。

4.根据权利要求1所述的甜叶菊四倍体的培育方法，其特征在于：所述步骤（3）中二甲基亚砜在培养基中含量为3%~5%。

5.根据权利要求1所述的甜叶菊四倍体的培育方法，其特征在于：所述步骤（3）中秋水仙素的质量分数为0.02%~0.2%。

6.根据权利要求1所述的甜叶菊四倍体的培育方法，其特征在于：所述步骤（3）中第一次诱导培养的培养基配方MS+6-BA 0.2~0.6mg/L+TDZ 0.3~0.8mg/L，培养温度25~28℃，光照强度2500~3000Lux；第二次诱导培养基配方均为MS+6-BA 0.2~0.6mg/L+TDZ 0.3~0.8mg/L，培养温度15~18℃，遮光培养。

7.根据权利要求1所述的甜叶菊四倍体的培育方法，其特征在于：所述步骤（3）中不含二甲基亚砜和秋水仙素的培养基配方为MS+6-BA 0.2~0.4mg/L+TDZ 0.3~0.6mg/L，培养温度25~28℃，光照强度2500~3000Lux。