[发明专利]一种DFN二极管的制造工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种DFN二极管的制造工艺，属于二极管生产技术领域。

背景技术

在电子产业界，二极管是各种电子产品的基本元件，随着各种电子产品的小型化、轻便化发展，对二极管的小型化要求也日益突出，DFN二极管(英文全称为Diode Flat Non-lead，中文名称为无引脚表面装贴二极管)就是因应这种要求而发展起来的。如图1所示，DFN二极管由两条引脚2、一颗晶片1(焊接于其中一条引脚2上)、一条焊线3(连接晶片和另一条引脚2)和将上述各部分封裹起来的注塑胶4组成。

由于DFN二极管的体积很小，使其在电子产品应用过程中与其他电子器件的连接触点--引脚面积也很小，这就对其引脚面的可焊接性提出很高要求。由于产品体积很小，在注塑封装过程中，由于高压的作用，注塑胶会泄露到框架引脚材料表面，从而影响产品引脚面的可焊接性，进而影响产品的最终使用。为解决这一问题，目前生产采取由引线框架供应商提供已在背面预贴塑胶膜的引线框架，框架贴膜后在注塑过程中即可避免注塑材料泄漏至封装的引线脚上造成产品使用过程中焊接不良。但由于这种胶膜可承受的最高温度为200℃，因此，晶片焊接流必须使用银浆粘接的方式，且温度必须控制在200℃以下，否则胶膜将很容易受到损坏。

如图2所示，银浆粘接工艺包括：通过点胶装置5将银浆6布置在背部预贴有塑胶膜7的框架表面；然后将晶片8置于银浆上，进行粘接。由于银浆粘接工艺需要应用一项点胶流程，晶片焊接的流程也会变得更加缓慢，而整个生产的效率也会变得更低。另外，银浆粘接工艺在晶片焊接的过程中，由于焊剂蒸发，会产生离子污染，进而需要在晶片焊接之后增加离子清洗的流程。

发明内容

本发明提供一种DFN二极管的制造工艺，提高生产效率，降低生产成本。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种DFN二极管的制造工艺，包括以下步骤：

(1)晶片切割：将圆形晶片板切割成方形晶片；

(2)晶片焊接：将方形晶片及引线框架放在晶片焊接机上进行共晶焊接；

(3)贴膜：在引线框架底部贴上耐热胶膜；

(4)焊线：将焊有晶片的引线框架放入焊线机中在晶片与引线脚之间焊上导电连接线；

(5)注塑：通过注塑模具用注塑胶将晶片-焊线-引线框架组合体进行封裹形成二极管体；

(6)电镀：在引线脚表面镀上一层锡；

(7)分离：将二极管体从条状引线框架上切割分离成独立小单元；

(8)测试上带：对二极管进行测试并将合格二极管用装料带进行包装。

其中，所述步骤(2)中共晶焊接的温度为400±20℃。

其中，所述步骤(4)中焊接导电连接线的焊接温度低于200℃。

其中，所述耐热胶膜优选为PE塑胶膜，所述注塑胶优选为环氧树脂。

其中，所述方形晶片的尺寸为0.2-0.4mm。

本发明的有益效果是：

采用本发明的工艺，晶片焊接无污染，无需清洗流程，能够杜绝产品生产过程中离子污染的质量风险。且由于本发明工艺中晶片焊接温度高，因而能够大大改善产品在高温环境下的使用可靠性。

采用本发明的工艺能够大大提高生产效率，节约材料成本和设备投资，因而大大降低了产品生产成本，其中，总材料成本能够下降30％，总制造成本能够下降15％。

附图说明

图1为DFN二极管结构示意图。

图2为银浆工艺晶片焊接示意图。

图3为本发明采用的晶片共晶焊接的示意图。

图4为本发明采用的框架贴膜工艺的示意图。

具体实施方式

以下结合附图和实施例对本发明做进一步详细描述，但本发明的实施方式不仅限于此。

如图3所示，本发明的DFN二极管制造工艺中，其晶片焊接过程中采用共晶晶片焊接工艺取代银浆粘接工艺。其所采用的引线框架采用的是背部无贴膜的引线框架10，在共晶焊过程中，晶片12和引线框架10的接触表面11熔化，形成硅金银合金，从而使得晶片12与引线框架焊接在一起。采用共晶焊工艺大大提高了生产效率，节约了银浆材料成本，避免了离子污染质量风险，简化了生产流程，大大节约了设备投资。