[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

一种半导体装置包括从基板向上突出的第一和第二有源图案、交叉第一和第二有源图案且在第一方向上延伸的栅电极、在第一有源图案上且在栅电极的至少一侧的第一源极/漏极区域、以及在第二有源图案上且在栅电极的至少一侧的第二源极/漏极区域。第一和第二源极/漏极区域具有彼此不同的导电类型，并且第二源极/漏极区域具有与所述第二有源图案的顶表面接触的底表面，并且第二源极/漏极区域的底表面的高度低于第一源极/漏极区域的与第一有源图案的顶表面接触的底表面。第一有源图案具有小于第二有源图案的第二宽度的第一宽度。

技术领域

本公开的示例性实施例涉及具有场效应晶体管的半导体装置及其制造方法。

背景技术

由于它们的相对小的尺寸、多功能和/或相对低成本的特性，半导体装置在电子工业中被认为是重要的元件。半导体装置可分成用于存储数据的存储装置、用于处理数据的逻辑装置和包括存储元件和逻辑元件二者的混合装置。为了满足对于具有相对高速度和/或相对低功耗的电子装置的增加的需要，要求具有相对高的可靠性、相对高的性能和/或多功能的半导体装置。为了满足这些技术要求，半导体装置要求提高的复杂性和/或集成密度。

发明内容

本发明构思的一些示例性实施例提供半导体装置，其中提供具有改进的电特性的场效应晶体管。

本发明构思的一些示例性实施例提供制造半导体装置的方法，其中提供具有改进的电特性的场效应晶体管。

根据本发明构思的一些示例性实施例，半导体装置包括从基板向上突出的第一和第二有源图案、交叉第一和第二有源图案且在第一方向上延伸的栅电极、在第一有源图案上且在栅电极的至少一侧的第一源极/漏极区域、以及在第二有源图案上且在栅电极的至少一侧的第二源极/漏极区域。第二源极/漏极区域可具有与第一源极/漏极区域不同的导电类型，并且第二源极/漏极区域可具有与第二有源图案的第二顶表面接触的第二底表面且该第二底表面高度上低于第一源极/漏极区域的与第一有源图案的第一顶表面接触的第一底表面。第一有源图案的第一顶表面可具有第一宽度，并且第二有源图案的第二顶表面可具有大于第一宽度的第二宽度。

根据本发明构思的一些示例性实施例，半导体装置可包括从基板向上突出的成对的第一有源图案和成对的第二有源图案、填充第一和第二有源图案之间的沟槽的器件隔离图案、交叉第一和第二有源图案且在第一方向上延伸的栅电极、在第一有源图案中的相应第一有源图案上且在栅电极的至少一侧的成对的第一源极/漏极区域、以及在第二有源图案中的相应第二有源图案上且在栅电极的至少一侧的成对的第二源极/漏极区域。第一源极/漏极区域的每一个具有与第一有源图案的相应第一顶表面接触的第一底表面。第二源极/漏极区域的每一个具有与第二有源图案的相应第二顶表面接触的第二底表面。第一有源图案的第一顶表面的每一个具有在第一方向上的第一宽度，并且第二有源图案的第二顶表面的每一个具有在第一方向上的大于第一宽度的第二宽度。

根据本发明构思的一些示例性实施例，半导体装置包括：包含彼此间隔开的第一区域和第二区域的基板；在基板的第一区域上且彼此间隔开第一距离的多个鳍形第一有源图案；在基板的第二区域上且彼此间隔开小于第一距离的第二距离的多个鳍形第二有源图案；交叉第一有源图案且在第一方向上延伸的第一栅电极；交叉第二有源图案且在第一方向上延伸的第二栅电极；在第一有源图案中的相应的第一有源图案上且在第一栅电极的至少一侧的第一源极/漏极区域；以及在第二有源图案中的相应的第二有源图案上且在第二栅电极的至少一侧的第二源极/漏极区域。第一和第二有源图案可具有相同的导电类型，第一源极/漏极区域可在第一方向上彼此间隔开，并且第二源极/漏极区域可彼此连接以形成布置在第一方向上的整体结构。