[发明专利]一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法

权利要求书

1.一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在基材表面制备一层金属材料，在金属层表面制备紧密排列的单层二氧化硅纳米的粒子阵列；

2)在粒子阵列上沉积硅薄膜；

3)在硅薄膜表面制备聚合物层；

4)将金属层利用酸溶液溶解使得硅膜结构与基材脱离；

5)以聚合物层为基底，选择性刻蚀二氧化硅纳米粒子表面的硅薄膜并部分暴露出二氧化硅粒子阵列；

6)用氢氟酸去除二氧化硅粒子，形成以聚合物层为基底的开口型硅薄膜球壳阵列结构。

2.根据权利要求1所述的一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法，其特征在于：所述的步骤1)中基材为非金属材料，包括玻璃、塑料或者硅片。

3.根据权利要求1所述的一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法，其特征在于：所述的步骤1)中金属材料是铝或者铬，厚度为200～500nm。

4.根据权利要求1所述的一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法，其特征在于：所述的步骤1)中紧密排列的单层二氧化硅纳米粒子阵列利用单层膜转移法或旋涂法制备。

5.根据权利要求1所述的一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法，其特征在于：所述的步骤2)中硅薄膜利用低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或磁控溅射方法制备。

6.根据权利要求1所述的一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法，其特征在于：所述的步骤3)中聚合物层材料是聚二甲基硅氧烷(PDMS)或者环氧树脂聚合物。

7.根据权利要求1所述的一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法，其特征在于：所述的步骤4)中酸溶液为稀硫酸或者稀盐酸，将金属层溶解。

8.根据权利要求1所述的一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法，其特征在于：所述的步骤6)中氢氟酸为体积分数3～7％的稀释溶液。