[发明专利]在半导体装置中的自调式隔离偏置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体衬底；

掺杂式隔离障壁，其被安置在所述半导体衬底中以隔离所述装置；

漏极区，其被安置在所述半导体衬底中且在操作期间将电压施加到所述漏极区；以及

耗尽阱区，其被安置在所述半导体衬底中且具有与所述掺杂式隔离障壁以及所述漏极区一样的导电类型；

所述耗尽阱区被定位在所述掺杂式隔离障壁与所述漏极区之间以电耦合所述掺杂式隔离障壁以及所述漏极区，其中所述耗尽阱区具有一对外部区段和所述一对外部区段之间的内部区段，所述内部区段具有比所述一对外部区段低的掺杂剂浓度水平，以使得所述掺杂式隔离障壁在低于被施加到所述漏极区的所述电压的电压电平下被偏置。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括主体区，所述主体区被安置在所述半导体衬底中且在操作期间将通道形成在所述主体区中，所述漏极区环绕所述主体区。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括导电活板，所述导电活板由所述半导体衬底支撑且定位在所述耗尽阱区之上，所述导电活板在操作期间被偏置以耗尽所述耗尽阱区。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括安置在所述半导体衬底中的漂移区，所述漏极区被安置在所述漂移区中，且电荷载流子在操作期间漂移穿过所述漂移区以到达所述漏极区，所述耗尽阱区被定位在所述漂移区与所述掺杂式隔离障壁之间且与所述漂移区以及所述掺杂式隔离障壁接触。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述漂移区与所述耗尽阱区构成所述半导体衬底中的单一阱的相邻部分。

6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述漂移区具有与所述耗尽阱区的一对外部区段一样的掺杂剂浓度分布。

7.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，进一步包括被安置在所述半导体衬底中的掩埋阱区，所述掩埋阱区在所述漂移区以及所述耗尽阱区之下且与所述漂移区以及所述耗尽阱区接触，且所述掩埋阱区具有与所述漂移区以及所述耗尽阱区相反的导电类型以耗尽所述漂移区以及所述耗尽阱区。

8.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体衬底；

掺杂式隔离障壁，其被安置在所述半导体衬底中、具有第一导电类型且限定装置区域；

主体区，其被安置在所述半导体衬底中、具有第二导电类型，且在操作期间将通道形成在所述主体区中；

漂移区，其被安置在所述装置区域内的所述半导体衬底中、具有所述第一导电类型，且电荷载流子在退出所述通道之后在操作期间漂移穿过所述漂移区；

漏极区，其被安置在所述漂移区内、被布置在所述主体区的外侧的所述装置区域内、具有所述第一导电类型，且在操作期间将电压施加到所述漏极区；以及

耗尽阱区，其被安置在所述半导体衬底中且具有所述第一导电类型；

其中所述耗尽阱区被定位在所述掺杂式隔离障壁与所述漂移区之间且与所述掺杂式隔离障壁以及所述漂移区接触以电耦合所述掺杂式隔离障壁以及所述漏极区，其中所述耗尽阱区具有一对外部区段和所述一对外部区段之间的内部区段，所述内部区段具有比所述一对外部区段低的掺杂剂浓度水平，以使得跨越所述耗尽阱区的电压降在低于被施加到所述漏极区的所述电压的电压电平下偏置所述掺杂式隔离障壁。

9.一种制造晶体管的方法，其特征在于，所述方法包括：

执行第一植入以形成掺杂式隔离障壁的区，所述掺杂式隔离障壁隔离所述晶体管；

执行第二植入以形成阱区；以及

执行第三植入以形成在操作期间将电压施加到的漏极区，所述第一、第二以及第三植入被配置成植入具有共同导电类型的掺杂剂；

其中所述第二植入被配置成使得所述阱区电耦合所述掺杂式隔离障壁以及所述漏极区，其中所述阱区具有一对外部区段和所述一对外部区段之间的内部区段，所述内部区段具有比所述一对外部区段低的掺杂剂浓度水平，以使得所述掺杂式隔离障壁在低于被施加到所述漏极区的所述电压的电压电平下被偏置。